公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

SGOI材料的外延生长及性能研究: 绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)技术和硅锗(SiGe)技术都是微电子领域中的前沿技术。绝缘体上硅锗(SGOI)材料是由日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种新型微电子材料...; 高兴国; 关键词：绝缘体上硅分子束外延微电子材料硅锗; 文献传递

玻璃中CdSSe纳米晶体的光谱性能被引量：5: 2004年; 对掺有镉、硒、硫的玻璃在 6 5 0— 80 0℃退火 4h ,生长了不同尺寸的CdS0 1 3Se0 87纳米晶体 ,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光 (PL)谱和电调制光谱 ,确定了纳米晶体部分电子态的能量 ,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系 .随着纳米晶体尺寸的增大 ,对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移 ,表现出明显的量子尺寸效应 .小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应 ,而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材料的相似 ;随着纳米晶体尺寸的增大 ,电吸收信号增强 .; 王引书高兴国赵亮汪艳贞王若桢; 关键词：吸收光谱光致发光谱量子尺寸效应

全选清除导出

共1页<1>

高兴国