李科
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 插值法在光伏发电系统MPPT中的应用研究
- 随着光伏发电产业逐年的快速发展，提高光伏发电效率变得尤为重要。太阳能光伏电池的功率输出属性容易受太阳光照强度和环境温度因素的影响，导致发电的效率仍存在一定问题。本文中的研究内容就是结合光伏电池的输出特性，考虑外界环境光照...
- 李科
- 关键词：光伏发电MPPT控制发电效率
- SiC单晶片加工工艺优化及其表面表征
- 碳化硅作为第三代半导体材料，应用广泛。如何获得高质量的晶片表面，是目前必须解决的重要问题。本论文通过线切割、研磨、化学机械抛光及西安工业大学的磁流变抛光等实验设备，对本实验室采用物理气相传输法生长的碳化硅晶锭进行加工。采...
- 李科
- 关键词：化学机械抛光磁流变抛光
- 文献传递
- SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响被引量：3
- 2012年
- 为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量。
- 杨莺刘素娟陈治明林生晃李科杨明超
- 关键词：抛光缺陷密度
- PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响被引量：4
- 2012年
- PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响。本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小。
- 杨明超陈治明封先锋林生晃李科刘素娟刘宗芳
- 关键词：SIC数值模拟热应力
