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潘盛

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:常州亿晶光电科技有限公司更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇少子寿命
  • 1篇金字
  • 1篇金字塔

机构

  • 1篇上海交通大学
  • 1篇常州亿晶光电...

作者

  • 1篇冯仕猛
  • 1篇潘盛

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
单晶硅表面金字塔大小及分布对少子寿命的影响被引量:2
2012年
单晶硅表面钝化后少子寿命以及制成的太阳电池转换效率与单晶硅表面金字塔大小、形貌和分布密切相关。用不同的碱液刻蚀单晶硅表面,用SEM观察其表面绒面结构,测量了不同碱液刻蚀的单晶硅表面的少子寿命以及对应太阳电池的转换效率。实验研究表明,不同碱液刻蚀的单晶硅表面绒面结构形貌差异大,少子寿命明显不同。进一步研究发现,绒面上金字塔尺寸较大,且分布不均匀,则其少子寿命较短,对应太阳电池的转换效率较低;反之,绒面上金字塔小且分布均匀,则绒面少子寿命相对较长,对应的太阳电池转换效率相对较高。
潘盛冯仕猛
关键词:单晶硅金字塔少子寿命
共1页<1>
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