许华安
- 作品数:6 被引量:8H指数:1
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- 相关领域:电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 表面处理对FED薄膜型金属电极性能的影响
- 2009年
- 针对场致发射显示器(FED)金属薄膜与玻璃附着力的特性,提出一种超声清洗和UV清洗相结合技术应用于薄膜型金属电极表面清洁处理。本文分析了超声清洗和UV清洗的基本原理,利用绿灯观测装置和大面积视频显微镜检测不同超声清洗时间和频率以及UV清洗对金属电极质量的影响,利用场发射测试系统测试经表面处理前后的金属薄膜电极性能。实验结果表明,FED金属薄膜电极在32kHz超声清洗10min,UV光清洗5min后,电极表面干净,无尘埃和有机污物,金属膜层不脱落,显示器场发射性能稳定。
- 许华安张永爱郭太良
- 关键词:场致发射显示器金属薄膜电极超声清洗
- 阳极氧化法制备Ta_2O_5绝缘膜及性能研究被引量:8
- 2009年
- 采用阳极氧化法在纯Ta表面制备绝缘性优良的Ta2O5介质膜,分析阳极氧化制备Ta2O5膜的基本机理,讨论不同电解液、阳极氧化电压及热处理等工艺参数对Ta2O5膜性能的影响。利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125~150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压。
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词:阳极氧化TA2O5绝缘膜击穿电压
- 表面传导电子发射显示器微细结构光刻工艺的优化
- 2009年
- 研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响.借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数.结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40~50 mJ/cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础.
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词:表面传导电子发射显示器光刻旋涂
- 基于探针法的FED电极缺陷检测系统设计
- 2010年
- 针对FED显示屏电极的特征,提出一种FED电极缺陷检测系统,用于检测FED电极的短路和断路等缺陷。系统分为硬件和软件两部分,硬件部分由CCD摄像头初始定位和对准模块、单片机数据测试和传输模块、计算机数据接收和处理模块组成;软件部分包括单片机预处理部分的底层程序设计和计算机部分面向对象的高级程序设计。经过硬件设计安装和软件编程调试,该FED电极缺陷检测系统已经在实验中得到应用。
- 张永爱张杰许华安姚亮郭太良
- 关键词:CCD单片机VISUALC++
- 大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极的研制
- 2009年
- 在洁净的玻璃基底溅射Cr-Cu-Cr复合薄膜,利用光刻和湿法刻蚀技术制备了大屏幕场致发射显示器薄膜型精细金属电极。讨论了不同腐蚀液对金属Cr刻蚀的影响,借助视频显微镜和台阶仪测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,用质量比为6∶3∶100的KMnO4、NaOH和H2O的混合液腐蚀Cr膜的刻蚀速率平稳,刻蚀后的Cr电极边缘整齐,内向侵蚀少。此外,分析了FeCl3刻蚀液对Cu膜的刻蚀机理,讨论了刻蚀液在静置和循环条件下对制备FED薄膜型精细电极的影响,借助视频显微镜测试刻蚀后的电极形貌,结果表明,FeCl3刻蚀液在循环条件下刻蚀Cu膜速度均匀,刻蚀后电极边缘整齐。
- 张永爱许华安郭太良
- 关键词:FED大屏幕湿法刻蚀
- 表面传导电子发射显示器件制备及其性能测试
- 许华安
- 关键词:光刻丝网印刷碳纳米管场发射