刘兴杰
- 作品数:1 被引量:5H指数:1
- 供职机构:复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究被引量:5
- 2011年
- 由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用。铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/Al界面IMC的生长行为及其微结构。文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构。
- 刘兴杰张滨海王德峻从羽奇王家楫
- 关键词:微结构金属间化合物扩散