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屈直

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金陕西省普通高等学校重点学科专项资金建设项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇电极
  • 1篇多层膜
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇溅射
  • 1篇硅纳米晶
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇背电极
  • 1篇SEM
  • 1篇TEM
  • 1篇XRD
  • 1篇CIGS薄膜
  • 1篇CIGS薄膜...
  • 1篇MO
  • 1篇MO薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射技术

机构

  • 2篇西安理工大学

作者

  • 2篇赵志明
  • 2篇蒋百灵
  • 2篇张国君
  • 2篇曹智睿
  • 2篇屈直
  • 2篇田亚萍
  • 2篇丁宇
  • 1篇白力静
  • 1篇马二云
  • 1篇张晓静

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
CIGS薄膜太阳能电池用Mo背电极的制备与结构性能研究被引量：6
2011年
利用磁控溅射技术在Soda-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω.cm。
赵志明丁宇曹智睿田亚萍屈直张国君蒋百灵
关键词：MO薄膜XRDSEM
磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征
2012年
在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20～30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx多层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。
赵志明马二云张晓静田亚萍屈直丁宇曹智睿白力静张国君蒋百灵
关键词：磁控溅射技术TEM
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