王敬松
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 基于CMOS工艺的硅基PI湿度传感器的研制
- 2009年
- 在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间等特性参数进行了详细的测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见,以便在今后的研究中加强这方面的工作。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器聚酰亚胺CMOS工艺
- 聚酰亚胺电容式湿度传感器的制备工艺研究被引量：5
- 2009年
- 改变传统丝网印刷制作电极的方法,采用正胶反刻、干湿结合的CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺为感湿介质的相对电容式湿度传感器。并对其结构进行了理论分析,确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计。对其测量范围、湿滞和响应时间进行了测试。通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见。
- 杨子健韦波王敬松崔千红杨建红
- 关键词：湿度传感器电容CMOS工艺
- PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜被引量：2
- 2009年
- 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。
- 张晓情李沛林王敬松杨建红
- 关键词：氮化硅光刻版保护膜
