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由利人

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇放大器
  • 2篇电路
  • 2篇输出端
  • 2篇偶数
  • 2篇芯片
  • 2篇放大器电路
  • 2篇成层
  • 1篇噪声系数
  • 1篇三阶交调
  • 1篇收发
  • 1篇收发前端
  • 1篇损耗
  • 1篇体积
  • 1篇前端
  • 1篇前端设计
  • 1篇宽带
  • 1篇宽带功率放大...
  • 1篇宽带匹配
  • 1篇馈线
  • 1篇交调

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇西南电子设备...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇由利人
  • 2篇周瑞
  • 2篇徐达
  • 2篇卜爱民
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇宋学峰
  • 2篇汤晓东
  • 2篇王磊
  • 2篇胡松祥
  • 2篇白锐
  • 2篇李丰
  • 1篇马战刚
  • 1篇边国辉
  • 1篇来晋明
  • 1篇罗嘉
  • 1篇杨瑜
  • 1篇赵伟星

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种高功率馈线合成器的设计
2011年
讨论了一种应用宽边耦合线技术设计和制造的功率合成器,介绍了其基本应用原理和工作模式。以一种L波段的高功率合成器为例,应用计算机CAD技术进行模拟仿真,并将仿真结果与实测结果进行了对比,结果表明,仿真结果与实测结果相差小于0.3 dB,满足使用要求。讨论了设计方法和实际应用要求之间的关系,并在实际应用中取得了较好的效果。这种功率合成器在高功率合成中,具有插入损耗小、两端口相位和幅值均衡度好、功率容量大、体积小、便于装配和调试的特点,是一种很好的高功率合成方式。
由利人
关键词：高功率功率合成
放大器芯片
本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所...
赵瑞华卜爱民由利人王磊白锐宋学峰徐达李丰汤晓东周瑞胡松祥马伟宾郝俊祥王亚君杨旭达
UHF大功率收发前端设计被引量：2
2013年
射频收发前端电路是无线收发信机的重要电路之一,它对整个系统的噪声系数,动态范围等关键指标起决定性作用。文中具体分析了射频前端电路在无线通信系统中的重要性、射频收发前端的组成、工作原理、接收和发射部分的设计难点和重点。对关键技术指标进行了优化设计。设计了思维简洁、电路控制速度快的UHF大功率射频收发前端,并对方案进行试验改良。通过实验结果表明,该电路噪声系数达到3.2 dB,接收通道增益达到30 dB。发射通道输出功率≥40 dBm,三阶交调≤-18 dBc,试验结果达到预期目标。最后结合实际测试曲线,对实验结果进行进行了分析,并对现有方案提出了改进。
由利人边国辉马战刚
关键词：收发前端噪声系数三阶交调
放大器芯片
本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所...
赵瑞华卜爱民由利人王磊白锐宋学峰徐达李丰汤晓东周瑞胡松祥马伟宾郝俊祥王亚君杨旭达
文献传递
基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器被引量：7
2015年
基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与Si C接近的铜-钼-铜载板作为Ga N HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁。测试结果表明,在0.8-4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 d B,增益平坦度为±1.5 d B,饱和输出功率值大于58.2 W,漏极效率为41%-62%。
来晋明罗嘉由利人杨瑜赵伟星彭安尽
关键词：宽带功率放大器宽带匹配
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