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相龙成

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电性能
  • 3篇介电
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 2篇陶瓷
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸钡
  • 2篇BATIO
  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇电容
  • 1篇氧化物
  • 1篇射线衍射
  • 1篇陶瓷结构
  • 1篇钛酸镁
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇微波介电
  • 1篇微波介电性能
  • 1篇微波陶瓷

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇张树人
  • 4篇相龙成
  • 3篇周晓华
  • 2篇李波
  • 1篇钟朝位
  • 1篇唐斌
  • 1篇张洪伟
  • 1篇陈庆荣
  • 1篇谢和平
  • 1篇杨艳
  • 1篇唐彬

传媒

  • 2篇压电与声光
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
BaTiO_3陶瓷中Nb_2O_5-Zn_(0.8)Mg_(0.2)TiO_3的掺杂效应
2008年
研究了BaTiO3-Nb2O5-Zn0.8Mg0.2TiO3系统的介电性能及微观性能。SEM和XRD分析发现,在掺杂x(Nb)=1%的BaTiO3陶瓷中,Zn0.8Mg0.2TiO3的固溶度小于4%。Nb2O5和Zn0.8Mg0.2TiO3用量均为1%时,BaTiO3陶瓷为赝立方相结构,当x(Nb)>2%时,陶瓷样品(002)和(200)衍射峰相互分开,研究表明,BaTiO3陶瓷为四方相,且随着Nb用量增加,四方率增强。此外,Nb用量增加还使BaTiO3陶瓷室温介电常数降低,而同时居里点升高。当x(Nb)=2%和x(ZMT)=1%时,在空气中于1 180℃下烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标为:298 K时介电常数2ε98 K=2 004,介电损耗tanδ=0.84%,密度ρ=1.4×1012Ω.cm,-55^+150℃,电容量温度变化率△C/C≤±15%。
唐斌张树人周晓华相龙成
关键词:钛酸钡介电性能居里温度X8R
粒度对纳米掺杂BaTiO_3陶瓷结构和性能的影响被引量:3
2006年
制备了纳米掺杂BaTiO_3陶瓷,研究了纳米掺杂剂和BaTiO_3的粒度对BaTiO_3陶瓷的微观结构和介电性能的影响.结果表明,小粒度、高分散的纳米掺杂剂更易对BaTiO_3颗粒实现均匀包裹,有效地抑制晶粒生长并形成更多的壳-芯晶粒,大比表面积使更多高活性的表面原子与BaTiO_3发生原子输运形成传质,导致晶粒壳/芯比增大,从而提高其介电性能.纳米掺杂陶瓷的平均晶粒尺寸和四方率与BaTiO_3粒度几乎成正比.随着BaTiO_3粒度的减小,立方晶粒壳增大而四方晶粒芯减小,陶瓷由四方晶相向赝立方晶相转变,居里峰被显著压制,从而改善介电温度特性.同时,晶粒的壳与芯之间失配产生的内应力随之增加,使居里点向高温方向移动.
李波张树人周晓华相龙成
关键词:无机非金属材料粒度钛酸钡介电性能
(Zn_xMg_(1-x))TiO_3微波介电性能及其TiO_2掺杂研究被引量:1
2007年
调节不同的r(Zn/Mg)值,用普通固相合成法制备了(ZnxMg1-x)TiO3(x=0.1~0.5(摩尔比)微波陶瓷基料,研究了r(Zn/Mg)及预烧温度对其微波和烧结性能的影响,并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了(ZnxMg1-x)TiO3基料的微波性能,最终获得了可在1170℃烧成的相对介电常数εr=26~28,品质因数与频率之积Q·f〉70000(10GHz),谐振频率温度系数τf〈±10×10^-6/℃的微波陶瓷。
相龙成张树人周晓华钟朝位唐彬李波陈庆荣
关键词:MGTIO3微波陶瓷
锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量:1
2006年
介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。
张洪伟张树人杨艳谢和平相龙成
关键词:PZT电容电极材料氧化物
共1页<1>
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