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刘志响

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:河南科技学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇研磨盘
  • 2篇接层
  • 2篇结合剂
  • 2篇金属
  • 2篇金属基
  • 2篇化学机械研磨
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇英文
  • 1篇磨粒
  • 1篇磨料
  • 1篇晶片
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇非均匀
  • 1篇非均匀性
  • 1篇材料去除机理
  • 1篇材料去除率

机构

  • 3篇河南科技学院
  • 1篇河南理工大学
  • 1篇河南工业大学

作者

  • 3篇苏建修
  • 3篇张竹青
  • 3篇刘志响
  • 2篇郑秋白
  • 2篇庞子瑞
  • 2篇付素芳
  • 2篇姚建国
  • 2篇马利杰
  • 1篇张学铭
  • 1篇刘幸龙

传媒

  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是,本发明的技术方案要点是,一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘,它包括固结磨料层、联接层、金属基体层,固结磨料层按照重量百分比含量包括:...
苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青
文献传递
基于游离磨粒的化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制(英文)被引量:4
2012年
本文主要研究硬脆晶体材料化学机械抛光中基片内材料去除非均匀性的形成机理.首先分析了化学机械抛光时抛光机的运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律.然后通过基片内材料去除非均匀性实验,得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响.通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果相差较大,只有磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果趋势相同.研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用.
苏建修张学铭刘幸龙刘志响张竹青
关键词:化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘
一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘。本发明的技术方案要点是,本发明的技术方案要点是,一种SiC单晶片研磨工序用固结磨料化学机械研磨盘,它包括固结磨料层、联接层、金属基体层,固结磨料层按照重量百分比含量包括:...
苏建修庞子瑞马利杰付素芳姚建国郑秋白刘志响张竹青
文献传递
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