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不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究: 2012年; 采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的"塔"状结构;虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强。最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析。; 刘海瑞赵丹梁建张竹霞刘旭光贾虎生许并社; 关键词：PL谱

GaN薄膜制备技术的研究进展被引量：2: 2010年; 综述了近年来国内外GaN薄膜制备技术的研究进展,并重点介绍了其发展历程、所使用的设备和技术、各自的优缺点及应用前景。通过比较这些技术的优缺点展望了制备GaN薄膜技术的发展前景。; 赵丹梁建赵君芙马淑芳张华许并社; 关键词：GAN薄膜

GaN纳米材料的CVD制备与研究: 氮化镓/(GaN/)是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效率蓝绿光发光二极管、蓝光半导体激光器、高频大功率...; 赵丹; 关键词：半导体氮化镓多晶薄膜辅助剂; 文献传递

采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜: 2011年; 采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。; 赵君芙赵丹梁建马淑芳许并社; 关键词：半导体 CVD法

采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜: 本研究采用CVD法以金属镓（Ga）和氨气（NH3）为原料，在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功制备了GaN多晶薄膜。采用x射线衍射仪（XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样...; 赵丹梁建马淑芳赵君芙许并社; 关键词：薄膜制备技术发光性能

金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理被引量：1: 2011年; 为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入Al、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异。在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强。最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨。; 梁建赵丹赵君芙马淑芳邵桂雪许并社; 关键词：GAN

In掺杂GaN纳米线的制备及其光学性能研究: 采用常压化学气相沉积法（APCVD）方法,分别以金属Ga,In和NH3为镓源,铟源和氮源,在喷Au的Si衬底上成功合成了In掺杂GaN纳米线。通过改变反应温度,NH3流量,In的含量等条件,得到了不同形貌的In掺杂GaN...; 刘海瑞赵丹贾虎生梁建赵君芙许并社; 关键词：GAN纳米线 PL谱; 文献传递

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赵丹