针对低电压下cache硬错误和软错误概率提高导致cache不能正常工作的问题,提出了一种基于混合纠错码的cache结构。该结构利用脏数据正确性必须由处理器中cache保证而干净数据可由片外恢复的数据特征,将cache分成多比特纠错码和单比特纠错码保护的两个区域。通过采用新的cache替换策略,使得脏数据总处于多比特纠错码保护区域,保证其得到较强保护,从而保证cache在低电压下的可靠性运行。基于EEMBC测试基准的实验结果表明,该设计可以在590 m V电压下正常运行,与该领域最新研究VS-ECC相比,降低了23.6%的纠错码存储信息量,性能提高5.9%。
