潘洪涛
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：包头医学院医学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理机械工程更多>>
- 氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响
- 2015年
- 利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟（ITO）导电薄膜,并在氮气气氛下对薄膜进行热处理。采用四探针测试仪、双光束紫外-可见分光光度计、X-射线粉末衍射仪和扫描探针显微镜等手段对所制备的ITO薄膜进行分析表征,并对掺Sn量、退火温度和退火时间对薄膜光电性能的影响进行了研究。实验结果表明：当掺Sn量为11%、热处理温度为480℃、热处理时间为60min时,能在氮气气氛中成功制备纳米ITO导电薄膜,其晶粒大小在20~90nm之间,薄膜的方阻较小为390Ω/□,可见光透过率达80%以上。
- 陈霞潘洪涛陆改玲计晶晶周澐
- 关键词：ITO薄膜溶胶-凝胶法光电性能
- 空气和氮气气氛中热处理温度对ITO薄膜性能影响被引量：1
- 2008年
- 以InCl_3·4H_2O和SnCl_4·5H_2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺。在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO),采用x-射线粉末衍射、紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了在空气和氮气气氛中,不同热处理温度对ITO薄膜的微结构、光学和电学性能的影响。
- 潘洪涛周炳卿陈霞李力猛
- 关键词：X-射线衍射分析方块电阻透过率
- 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其性质研究
- 掺锡氧化铟(ITO)薄膜材料是一种锡掺杂的半导体材料，其优良的光电性能被广泛的应用于透明导电膜的制备中。目前其应用主要是采用溅射法与真空沉积法直接沉积在衬底材料上形成功能性的薄膜，从经济效益上看，这种制备工艺限制了ITO...
- 潘洪涛
- 关键词：ITO薄膜光电性能溅射法溶胶-凝胶法薄膜形貌
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究被引量：4
- 2008年
- 以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为主要原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60 min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.
- 潘洪涛周炳卿陈霞李力猛
- 关键词：溶胶-凝胶法光电性能方块电阻
- 利用射频PECVD技术低温制备纳米晶硅薄膜被引量：1
- 2007年
- 利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术低温制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.通过优化沉积参数,得到晶粒尺度小于10 nm,晶态体积比为58%的nc-Si:H薄膜.对nc-Si:H薄膜的光电特性进行研究,结果表明,在100 mW/cm2的光照下,nc-Si:H薄膜的光电导率为1.5×10-3Ω-1.cm-1,室温暗电导率为8.4×10-4Ω-1.cm-1,光学带隙为1.46 eV.利用射频PECVD制备的nc-Si:H薄膜具有明显的量子点特征.
- 周炳卿潘洪涛周培勤
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积光电特性
