刘瑞鸿
- 作品数：2 被引量：10H指数：2
- 供职机构：大连理工大学机械工程学院精密与特种加工教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 二氧化硅介质层CMP抛光液研制及其性能研究
- 集成电路/(IC,Integrated Circuit/)是电子信息产业的核心,是推动国民经济和社会信息化发展最主要的高新技术之一。从IC制造过程中可以看到,无论是氧化层、阻挡层还是金属布线,都多次使用化学机械抛光/(C...
- 刘瑞鸿
- 关键词：化学机械抛光抛光液材料去除率
- 文献传递
- 摩擦化学反应活化能在SiO_2-CMP中的作用被引量：2
- 2010年
- 基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系.
- 刘瑞鸿郭东明金洙吉康仁科
- 关键词：化学机械抛光
