刘秀娟
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生化学工程更多>>
- 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器
- 本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n<Sup>+</Sup...
- 刘福浩许金通李向阳王荣阳刘秀娟陶利友刘诗嘉孙晓宇
- 文献传递
- 结合AlGaN和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)的新型日盲紫外探测器的研制
- 制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应...
- 刘秀娟李超王建禄张燕孙璟兰李向阳
- 关键词：ALGANPVDF
- 文献传递
- 一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法
- 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器...
- 徐鹏霄乔辉张可锋李向阳王仍刘诗嘉徐斌刘秀娟卢怡丹王立伟常超
- 文献传递
- 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法
- 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n<Su...
- 刘福浩许金通李向阳王荣阳刘秀娟陶利友刘诗嘉孙晓宇
- 文献传递
- 结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究被引量：3
- 2013年
- 制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260 nm处,响应电压高达129.6 mV(此时辐射功率为39.8 nW)。器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过AlGaN材料传导给PVDF结构的电极,温度升高,PVDF对温度变化产生响应。为了进一步验证,制作了对比器件,即在AlGaN结构和PVDF结构之间加了一层多孔SiO2隔热层,测得的响应光谱中有两个峰值,一个在260 nm,另外一个在300 nm。与参考器件相比,在260 nm处的响应电压大大减小,说明了利用热效应探测的可行性。另外,测量了不同频率下的器件响应并对其进行理论拟合,深入研究300 nm处的响应机理。
- 刘秀娟李超王建禄张燕孙璟兰李向阳
- 关键词：ALGANPVDF
- 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器
- 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>钝化...
- 刘秀娟张燕李向阳王立伟卢怡丹常超
- 文献传递
- ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究被引量：1
- 2015年
- 采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/AlGaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比。制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3MV/cm。采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果。结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52A/cm2。
- 刘秀娟张燕李向阳
- 关键词：紫外探测器暗电流钝化膜DARKCURRENT
