徐存良
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMP承载器背压发展历程被引量：3
- 2015年
- 随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响,发现随着技术节点的提高,承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此,国产CMP设备为了满足集成电路的严格要求,其承载器必须具备施加多区域背压,且控制精度越来越高。
- 李伟周国安徐存良詹阳
- 关键词：化学机械平坦化背压承载器
- 6R机械手在CMP设备中的运动空间分析
- 2011年
- 工作空间是一个衡量机械手工作能力的重要运动学指标。通过分析抛光机中机械手的工作流程,确定了机械手工作空间;并利用D-H坐标法,建立6R机械手的数学模型,得到机械手末端坐标系相对于基坐标系的传递矩阵。最后,采用蒙特卡洛数值分析法,仿真了机械手的运动空间,结果显示,该机械手的运动空间大于设备要求的工作空间,满足CMP设备的使用需求。
- 徐存良陈波高文泉柳滨
- 关键词：机械手蒙特卡洛法
- CMP设备中抛光垫修整机构的研究被引量：1
- 2012年
- 介绍了一种新型抛光垫修整机构的功能、结构及运动原理,通过理论计算给出了修整力的计算公式,并介绍了一种原理简单,操作方便的气动控制系统。在工艺试验过程中,充分证明了其结构原理及控制系统的合理性,进而在理论和实践两个方面确定了该机构已达到设计要求。
- 高文泉李伟徐存良郭强生
- 关键词：气动控制系统
- CMP后清洗技术发展历程被引量：5
- 2013年
- 从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如:多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200 mm集成清洗、300 mm集成清洗及20 nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。
- 周国安徐存良
- 关键词：化学机械平坦化
- 化学机械抛光设备关键技术研究被引量：4
- 2012年
- 化学机械抛光（CMP）技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技术原理、晶片夹持、抛光台温度控制、抛光垫修整、终点检测、抛光后清洗等技术以及未来对国内CMP设备的展望。
- 高文泉丁彭刚徐存良
- 关键词：夹持温度控制
- CMP大盘结构研究被引量：1
- 2013年
- 在CMP设备中,大盘的整体性能直接影响抛光后晶圆的表面质量和整体面型精度。分析了三种大盘的受力结构,选择应用交叉圆锥滚子轴承的结构为最优。给出了抛光大盘的陶瓷台面的温度控制水道的三个分布模式。
- 陈波徐存良
- 关键词：水压温度
