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惠述伟

作品数:3 被引量:25H指数:2
供职机构:中南民族大学更多>>
发文基金:国家民委科研基金武汉市重点科技攻关计划项目更多>>
相关领域:理学环境科学与工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 2篇电阻率
  • 2篇透过率
  • 1篇氧化钛
  • 1篇微弧氧化
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基橙
  • 1篇降解
  • 1篇降解甲基橙
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化剂
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇TIO_2光...
  • 1篇ZAO薄膜
  • 1篇AZO薄膜
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇催化
  • 1篇催化剂

机构

  • 3篇中南民族大学
  • 1篇武汉工程大学

作者

  • 3篇惠述伟
  • 1篇徐志立
  • 1篇孙奉娄

传媒

  • 2篇中南民族大学...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
微弧氧化制备TiO_2光催化剂降解甲基橙实验研究被引量:3
2008年
用微弧氧化法在纯钛材料表面负载TiO2陶瓷膜,以此作为光催化剂,用紫外光为光源,降解甲基橙溶液.选用硅酸钠、磷酸钠、铝酸钠电解液体系,比较了所制备的不同TiO2光催化剂对降解甲基橙的影响.实验结果表明:不同溶液体系制成的TiO2膜对甲基橙均有脱色效果,但光催化降解甲基橙速率不同,在对比的溶液体系中,磷酸钠的效果最好.硅酸钠电解液中加入添加剂也改善了负载光催化剂的质量.
徐志立惠述伟
关键词:微弧氧化二氧化钛光催化降解甲基橙
衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响被引量:22
2009年
利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3Ω.cm、透过率为84%,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.
孙奉娄惠述伟
关键词:ZAO薄膜衬底温度电阻率透过率
Al掺杂ZnO薄膜制备工艺研究
Al掺杂ZnO薄膜/(AZO/)是一种新型的透明导电薄膜,具有广泛应用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控溅射法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜样品,研究了镀膜时间、靶衬距、Ar气压强、溅射功率、衬底温度等制备工艺对薄膜的电...
惠述伟
关键词:AZO薄膜电阻率透过率
文献传递
共1页<1>
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