贺剑锋
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国地质大学（北京）工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会科技成果转化与产业化项目中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- ZnO掺杂量与烧结温度对SnO_2–Ta_2O_5–ZnO压敏变阻材料性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以SnO2、Ta2O5和ZnO粉为原料,通过传统陶瓷固相反应烧结法制备了压敏变阻材料,实验中ZnO含量为0～2.00%(摩尔分数),烧结温度控制在1 300～1500℃并保温2 h。研究了ZnO掺杂量和烧结温度对材料的组成、微观结构和电学性能的影响。结果表明:在温度一定条件下,随着ZnO掺杂量的增加,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小;在ZnO含量一定时,随着烧结温度从1 300℃升至1 450℃,材料的非线性系数、压敏电压先增大后减小。ZnO掺杂量为0.50%时,在1450℃烧结得到的样品的非线性系数最高(6.2),漏电流最小(262μA/cm2),压敏电压较高(83V/mm)。
- 贺剑锋彭志坚王成彪付志强符秀丽
- 关键词：氧化锡电学性能
