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何明鹏

作品数:4 被引量:30H指数:3
供职机构:哈尔滨理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金黑龙江省科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇亚胺
  • 4篇酰亚胺
  • 4篇纳米
  • 4篇聚酰亚胺
  • 3篇电性能
  • 3篇聚酰亚胺薄膜
  • 2篇氧化铝
  • 2篇纳米氧化铝
  • 1篇氧化硅
  • 1篇杂化
  • 1篇热性能
  • 1篇纳米复合薄膜
  • 1篇纳米氧化硅
  • 1篇纳米氧化物
  • 1篇耐电晕
  • 1篇聚酰亚胺纳米...
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇

机构

  • 4篇哈尔滨理工大...

作者

  • 4篇何明鹏
  • 3篇李娟
  • 3篇范勇
  • 3篇陈昊
  • 3篇刘俊

传媒

  • 2篇绝缘材料
  • 1篇哈尔滨理工大...

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
纳米铝溶胶改性聚酰亚胺薄膜结构与性能的研究
现代高新技术的发展对工程电介质材料的种类及性能提出了更高要求。由于聚酰亚胺有着一系列优异的性能,并且纳米技术可以改善传统电介质材料的特性,因此纳米杂化聚酰亚胺材料备受人们关注。杜邦生产的无机纳米杂化薄膜Kapton 10...
何明鹏
关键词:聚酰亚胺纳米氧化铝电性能
文献传递
纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与表征被引量:12
2009年
采用微乳化技术制备了铝的纳米氧化物分散液,并将其掺杂到聚酰亚胺基体中,分别制备出质量分数为4%、8%、12%、16%、20%、24%的聚酰亚胺杂化薄膜.利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、热失重分析仪(TGA)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了性能测试和结构表征.结果表明,经铝的纳米氧化物杂化的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能随铝的纳米氧化物掺杂量的增加而提高,当纳米组分的质量分数达到24%时,在60kV/mm的工频电压下,薄膜的耐电晕寿命可达50.7h(IEC343);杂化薄膜的击穿场强随掺杂量的增加而下降;铝的纳米氧化物掺杂量增加可以提高聚酰亚胺薄膜的热分解温度;所掺杂的纳米粒子可以较均匀地分散在聚酰亚胺基体中.
陈昊刘俊何明鹏李娟范勇
关键词:聚酰亚胺耐电晕
二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究被引量:10
2009年
采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷(PTES)为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量(质量分数)的PI/SiO2复合薄膜。分别采用热失重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试。结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜。
刘俊何明鹏陈昊李娟范勇
关键词:聚酰亚胺纳米氧化硅热性能电性能
纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与研究被引量:10
2010年
用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜。利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征。结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上。随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低。纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀。
何明鹏刘俊陈昊李娟范勇
关键词:聚酰亚胺纳米氧化铝电性能杂化
共1页<1>
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