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史建武

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 10篇晶体管
  • 7篇有机半导体
  • 7篇晶体
  • 7篇半导体
  • 7篇薄膜晶体
  • 7篇薄膜晶体管
  • 6篇有机薄膜晶体...
  • 5篇迁移率
  • 5篇光电
  • 4篇迁移
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子材料
  • 3篇封端
  • 3篇场效应
  • 2篇电流比
  • 2篇有机半导体材...
  • 2篇有机晶体管
  • 2篇有源层
  • 2篇有源矩阵
  • 2篇三极管

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇史建武
  • 6篇耿延候
  • 6篇田洪坤
  • 6篇闫东航
  • 2篇宋德
  • 2篇李春红
  • 2篇王利祥
  • 2篇王佛松
  • 2篇王海波
  • 2篇王贺
  • 2篇朱峰
  • 2篇严铉俊
  • 2篇王军

传媒

  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
本发明涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途。该有机半导体材料的结构通式如右式:其中右Ⅳ式为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等;在有...
耿延候田洪坤史建武
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有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜,既可以是n型半导体,也可以是p型半导体;本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列,与有序基板存在取向关系。本发明制...
闫东航王海波朱峰史建武宋德
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菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用
本发明属于光电子材料技术领域,涉及菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体管。该菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发明提供的菲/噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性和环境稳定性,...
耿延候田洪坤史建武
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封端齐聚噻吩的设计、合成与表征
Oligothiophenes end-capped with naphthyl, thianaphthyl and phenanthrenyl were synthesized via metal mediated c...
田洪坤史建武闫东航王利祥耿延候王佛松
关键词:封端有机场效应晶体管
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稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途
本发明属于光电子材料技术领域,涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A)其中<Image file="200510119064.4_AB_0...
耿延候田洪坤史建武
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一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法
本发明公开了一种图案化有源层有机薄膜晶体管的制作方法和有源矩阵液晶显示装置的制备方法。采用剥离技术图案化有源层,减少光刻过程中对有源层的损伤。本发明所构建的有机薄膜晶体管具有高的场效应迁移率,高的开关态电流比性质。图案化...
闫东航王贺王军严铉俊史建武李春红
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有机异质结晶体管中功能与形貌关系的研究
有机薄膜晶体管由于具有低成本、易于柔性基底兼容、可以大面积制作等优点,已经在有源平板显示、低端电子产品以及传感器等方面显示出了极大的应用潜力。由于有机异质结具有一些与无机异质结不同的特性,而基于有机异质结的电子器件也显示...
史建武
关键词:薄膜晶体管费米能级空穴迁移率
2,5-二(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用被引量:2
2006年
近年来,有机薄膜晶体管(OTFFs)因其成本低、加工简便,特别适用于制备大面积柔性器件而引起人们的广泛关注.并苯类化合物和噻吩衍生物是目前最重要的两类高迁移率OTFT材料.由并五苯制备的多晶OTFFs器件迁移率可达到5cm^2/(V·s);烷基修饰齐聚噻吩的场致迁移率也可达到非晶硅[0.1~1cm^2/(V·s)]的水平.但是,这两类材料具有较窄的能隙和较高的最高被占分子轨道(HOMO)能级,容易与空气中的氧气和水发生作用,所制备的器件在空气中衰减较快,
田洪坤史建武闫东航王利祥耿延候王佛松
关键词:有机半导体薄膜晶体管
有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜,既可以是n型半导体,也可以是p型半导体;本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列,与有序基板存在取向关系。本发明制...
闫东航王海波朱峰史建武宋德
文献传递
一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法
本发明公开了一种图案化有源层有机薄膜晶体管的制作方法和有源矩阵液晶显示装置的制备方法。采用剥离技术图案化有源层,减少光刻过程中对有源层的损伤。本发明所构建的有机薄膜晶体管具有高的场效应迁移率,高的开关态电流比性质。图案化...
闫东航王贺王军严铉俊史建武李春红
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共2页<12>
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