李艳华
- 作品数：3 被引量：17H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技厅重大项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用被引量：16
- 2011年
- 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光（Electrolum inescence,EL）成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。
- 李艳华潘淼庞爱锁武智平郑兰花陈朝
- 关键词：硅太阳能电池EL
- 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化被引量：1
- 2011年
- 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
- 武智平潘淼庞爱锁李艳华陈朝
- 关键词：多晶硅少子寿命
- 低成本多晶硅片表面织构的研究
- 2011年
- 采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明:经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的"蚯蚓状"的腐蚀坑,且反射率较低。在400～1 000nm波长范围内,反射率可达22.75%;生长了SiNx薄膜后,反射率减小至8.33%,比原始硅片的反射率低20.96%。
- 潘淼李艳华陈朝
- 关键词：织构酸腐蚀
