马占洁
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- MWECR CVD制备a-Si:H薄膜光稳定性研究
- 由于非晶硅薄膜具有制备工艺简单、原材料价格低廉和可实现大面积大规模自动化批量生产及光敏性好等绝对优势,目前已得到越来越广泛地重视和应用。
本论文主要是对MW-ECR CVD系统沉积的a-Si:H薄...
- 马占洁
- 关键词：A-SI:H光敏性
- 文献传递
- 影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素
- 氢化非晶硅薄膜作为一种新型的光伏功能材料,已被广泛地应用于大面积太阳能电池中,成为当前重要的绿色能源。但由于存在SW效应,制约了它的进一步发展。因此人们都在致力于研究影响氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的因素。本文对此也进行了...
- 马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素
- 2006年
- 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.
- 马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
- 关键词：A-SI:H微晶硅
- 采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
- 2006年
- 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制备薄膜2m in,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18m in,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜。
- 朱秀红陈光华刘国汉丁毅何斌张文理马占洁郜志华李志中
- 关键词：微晶硅稳定性
- 热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
- 2006年
- 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
