尹文婷
- 作品数：20 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院国防科技创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法
- 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...
- 叶振华黄建杨建荣尹文婷邢雯林春陈兴国胡晓宁丁瑞军何力
- 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器被引量：10
- 2010年
- 首次在国内报道了128×128面阵短波/中波(SW/MW)双色碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为(50×50)μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率Dλ*p分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.
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- 关键词：HGCDTE
- 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法
- 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测...
- 叶振华黄建胡伟达尹文婷林春陈路廖清君胡晓宁丁瑞军何力
- 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片被引量：2
- 2011年
- 报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n+-on-p碲镉汞(HgCdTe)中波(MW,mid-wavelength)光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B+注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了钝化界面植氢优化的HgCdTe中波红外探测芯片.从温度为78K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现钝化界面植氢优化的HgCdTe红外中波探测芯片的光电二极管开启电压比未经过植氢处理的增加了50mV左右,零偏与反偏动态阻抗提高了10倍,且正向串连电阻也明显减小.这表明钝化界面等离子体植氢处理可以抑制HgCdTe中波光电二极管的暗电流和优化探测芯片的欧姆接触,从而能提高中波红外焦平面探测器的探测性能.
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- 关键词：HGCDTE暗电流
- 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法
- 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻...
- 叶振华尹文婷马伟平黄建林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
- 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用...
- 叶振华尹文婷王建新方维政杨建荣陈昱林春胡晓宁丁瑞军何力
- 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
- 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光...
- 叶振华黄建祝海彬尹文婷林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
- 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
- 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光...
- 叶振华黄建祝海彬尹文婷林春胡晓宁丁瑞军何力
- 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法
- 本发明公开了一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于红外焦平面探测芯片表面旋转涂敷一层AZ系列光刻胶的稀释剂以填充微台面列阵隔离深沟槽的底部大部分体积的物理空间，再在微...
- 叶振华周文洪尹文婷黄建马伟平胡晓宁
- 文献传递
- 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
- 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用...
- 叶振华尹文婷王建新方维政杨建荣陈昱林春胡晓宁丁瑞军何力
- 文献传递
