李金华
- 作品数：85 被引量：314H指数：9
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- CMOS／SIMOX器件总剂量辐照的研究
- 1995年
- 在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界面态增加较少，且ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ＂导通＂辐照偏置是最恶劣偏置。
- 高剑侠严荣良余学锋张国强任迪远林成鲁李金华竺士扬
- 关键词：界面态阈电压漏电流CMOS/SIMOX
- 纳米ZnO和ZnO-SiO_2复合薄膜的光学性质研究被引量：6
- 2008年
- 通过溶胶凝胶(sol-gel)法分别在玻璃衬底上制备了ZnO纳米薄膜和ZnO-SiO2纳米复合薄膜,并利用紫外-可见光分光光度计对薄膜的光学性能进行了分析.可见光-紫外透射谱显示,随着ZnO溶胶浓度从0.7mol/L降低到0.006mol/L,制备的ZnO薄膜从只出现一个380nm(对应的光学禁带宽度为3.27eV)左右的吸收边到在380和320nm(对应的光学禁带宽度为3.76eV)左右各出现一个吸收边,并且随着ZnO溶胶浓度的降低,在380—320nm波段内的透过率明显提高.而ZnO-SiO2复合薄膜只在310nm左右出现一个吸收边.SiO2的包覆宽化了ZnO的禁带宽度,包覆后的禁带宽度可达到3.87eV.
- 袁宁一何泽军赵常宁李峰周懿李金华
- 关键词：纳米ZNO溶胶凝胶法透射率
- 绝压式BESOI负压传感器研制
- 1995年
- 采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10^(-6)/℃(FS).
- 李金华孙慷蒋美萍周倜冒建军焦继传陆德仁王渭源
- 关键词：键合传感器
- 热释电单元探测器的电压响应模拟被引量：4
- 2002年
- 采用一维热扩散理论 ,用 Matlab应用软件 ,模拟了热释电单元传感器的电压响应 ,比较 PET塑料衬底、多孔二氧化硅衬底、悬空结构以及体硅衬底的热传导对探测器性能的的影响 ,并与 PCL T/ P(VDF- Tr FE)
- 李格袁宁一李金华
- 关键词：热释电传感器电压响应
- 离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件被引量：1
- 2005年
- 用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻温度系数的薄膜。
- 谢建生李金华袁宁一
- 关键词：氧化钒薄膜退火离子束增强沉积
- 离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备被引量：1
- 2005年
- 用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积 膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO)。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致 密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜。探索用IBED方法在Si和SiO2衬底上制备优质掺杂薄膜的可能性。初步研究了ANZO共掺 杂薄膜的结构、电学和光学性能。
- 谢建生李金华袁宁一陈汉松周懿
- 关键词：氧化锌薄膜退火离子束增强沉积
- 离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的相变模拟被引量：4
- 2004年
- 用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100oC范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变。模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相变温度降低,使IBEDVO2薄膜在48oC开始由半导体相向金属相转变。
- 袁宁一李金华李格
- 关键词：VO2多晶薄膜离子束增强沉积晶格畸变相变
- 薄膜全耗尽CMOS／SIMOX的高温特性分析
- 1996年
- 在室温～２００℃的不同温度下测量了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）的Ｐ沟，Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系，并同相应的体硅器件作了比较。
- 竺士炀高剑侠林成鲁李金华
- 关键词：CMOSSIMOX
- 离子束增强沉积二氧化钒薄膜和器件的研究进展
- 2004年
- 用改进了的离子束增强沉积方法从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 ,薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理 ,介绍了薄膜工艺的优化、薄膜性能测试和理论模拟的主要结果。
- 李金华袁宁一
- 关键词：离子束增强沉积二氧化钒薄膜非制冷红外成像
- 硅基传感器的微机械加工被引量：3
- 1998年
- 叙述了硅基传感器微机械加工的特点和要求，简要说明了硅衬底微细加工的常用方法。并以高过载双向压力传感器和悬空结构热释电传感器的硅衬底微细加工为例，作了进一步说明。传感器性能的测试结果表明了微机械加工对提高传感器性能的重要性。
- 陈汉松李坤李金华
- 关键词：微机械加工传感器
