您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇运放
  • 1篇单位增益
  • 1篇单位增益带宽
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇仪表
  • 1篇仪表放大器
  • 1篇运放共享
  • 1篇增益
  • 1篇增益带宽
  • 1篇斩波调制
  • 1篇频率补偿
  • 1篇频率补偿技术
  • 1篇气相沉积
  • 1篇相位

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇何乐年
  • 4篇王煊
  • 2篇陆燕锋
  • 2篇陈俊晓
  • 1篇徐碧野
  • 1篇张鲁
  • 1篇王刚

传媒

  • 2篇电路与系统学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
14位100MSPS流水线ADC的低功耗设计被引量:3
2013年
为实现14位100MSPS流水线模数转换器(ADC)的低功耗设计,提出了一种新型的运放和电容共享技术。该技术将流水线ADC的前端采样保持电路(SHC)并入第一流水线级,并在后面的流水线级中相邻两级使用运放共享技术,消除了常规的运放和电容共享技术所存在的需要额外置零状态和引入的额外开关影响运放建立时间的缺点。芯片采用TSMC 0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺,仿真结果表明,在100MSPS采样率和10MHz输入信号频率下,ADC可达到77.6dB的信号噪声失调比(SNDR),87.3dB的无杂散动态范围(SFDR),±0.4LSB的微分非线性(DNL),±1LSB的积分非线性(INL),0.56pJ/conv的品质因数(FOM),在3.3V供电情况下功耗为350mW。
王刚何乐年王煊
关键词:运放共享低功耗
Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响被引量:1
2008年
采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HBT的β和fT等主要特性参数,Ge的引入以及Ge的分布情况对提高这些参数有着显著的影响。Ge的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景。
王煊徐碧野何乐年
一种输入输出轨到轨的电流模式仪表放大器设计被引量:1
2011年
本文提出了一种基于标准CMOS工艺的电流模式仪表放大器。该放大器内部运放采用斩波调制技术去除低频1/f噪声和失调,并采用正、负电荷泵,使系统具有轨到轨的输入能力。芯片使用TSMC 0.25μm CMOS混合信号工艺模型设计并流片。测试结果表明,使用60kHz的斩波频率,系统增益为40dB时,具有100dB的共模抑制比和-35μV的失调电压,以及9nV/√Hz的输入相关噪声。仪表放大器使用3V单电源供电,系统增益用两个片外电阻确定,共模输入电压范围从-0.1V到3.5V。
陈俊晓何乐年张鲁陆燕锋王煊
关键词:电流模式仪表放大器斩波调制电荷泵
高增益四级运放频率补偿技术被引量:1
2010年
为改善四级运放不易稳定和单位增益带宽较窄的特性,提出一种新的四级运放频率补偿技术.采用多路嵌套式密勒补偿技术,实现左半平面零点和右半平面零点分离,并通过额外增加一条前馈通路产生左半平面零点,抵消了一个极点,简化了四级运放的频率补偿问题.通过将次极点向高频的推移以及次极点和单位增益带宽比例大小的合理设计,不仅保证了运放的稳定,同时增大了运放的单位增益带宽.经台积电(TSMC)0.25μm互补金属氧化物半导体(CMOS)混合信号工艺仿真和流片测试结果显示,该四级运放仅消耗0.842mW功耗,0.150mm2的芯片面积,在3.6V电源电压下具有60.15°的相位裕度,2.42MHz的单位增益带宽,大于150dB的直流增益.
陆燕锋何乐年陈俊晓王煊
关键词:单位增益带宽相位裕度
共1页<1>
聚类工具0