刘小娇
- 作品数：11 被引量：19H指数：2
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学更多>>
- PECVD制备p型氢化硅氧薄膜及其光电性能研究
- 2016年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在高气压、高氢稀释比和高功率密度条件下,以硅烷和二氧化碳为反应气体,硼烷为掺杂气体,在玻璃衬底上沉积了一系列的p型氢化非晶硅氧(p-SiOx:H)薄膜.利用Raman谱、XRD衍射谱、UV-VIS透射谱以及绝缘电阻测试仪等手段,分析了不同二氧化碳气体流量比对氢化硅氧薄膜的微结构和光电特性的影响.研究结果表明:薄膜为典型的非晶相;随着掺入气体CO2流量增加,薄膜沉积速率RG上升、光学带隙Eg及激活能Ea增大.
- 刘小娇施光辉殷俊传李航刘洁青廖华胡志华
- 关键词：光学带隙激活能PECVD
- CO2/SiH4气体流量比对氢化硅氧（SiOx:H）薄膜微结构和光学特性的影响
- 2018年
- 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比（R℃C=[CO℃2]/[Si H℃4]=0、0.5、1、2）和不同的衬底温度（200和250℃）在高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W/cm^2）条件下制备了一系列的氢化硅氧（SiO℃x∶H）薄膜。运用Raman谱、XRD和紫外-可见光透射谱（UV-VIS）对材料的微结构和光学特性进行测试与分析。实验发现,薄膜沉积速率高达0.60 nm/s;同时,随着掺入气体CO℃2流量增加,薄膜由微晶＋非晶两相结构逐渐转化为非晶相;在500~750 nm波长范围内,氧的掺入使薄膜折射率下降（从3.67到2.65）、光学带隙增大（从1.52~2.26 eV）。
- 刘小娇施光辉涂晔刘洁青王书荣胡志华
- 关键词：光学带隙
- 一种叠层薄膜太阳电池及其制造方法
- 本发明属高效低成本薄膜太阳电池领域，具体为一种叠层薄膜太阳电池及其制造方法(a‑Si:H/a‑SiGe:H/CIGS或CZTS叠层太阳电池及其制造方法)。本发明以玻璃为基底，按照Mo、CIGS或CZTS底电池吸收层、Zn...
- 胡志华施光辉刘小娇
- 文献传递
- 几种新型钙钛矿太阳电池的概述
- 2015年
- 基于钙钛矿太阳电池巨大的发展潜力,简要的概述了钙钛矿太阳电池的发展历程,并阐述其基本工作原理;同时总结了AZO基底钙钛矿太阳电池和三种基于钙钛矿与硅薄膜相结合的新型钙钛矿电池结构:钙钛矿硅薄膜复合太阳电池、新型双面钙钛矿太阳电池和硅基钙钛矿叠层太阳电池.最后,展望了未来开发新型钙钛矿太阳电池的努力方向及其发展前景,为进一步研究钙钛矿太阳电池提供一定的参考.
- 施光辉刘小娇涂晔钱福丽廖华胡志华
- 关键词：钙钛矿结构硅薄膜光伏
- 电致发光(EL)在光伏电池组件缺陷检测中的应用被引量：16
- 2016年
- 光伏电池组件缺陷检测是太阳电池生产过程中的重要环节,采用电致发光(EL)测试技术,探索外加偏压对光伏电池组件发光强弱的影响规律,确认了EL测试技术在光伏电池组件缺陷检测中的有效性.并通过EL测试技术发现了电池组件的黑心、黑斑、隐裂、断栅等缺陷.最后结合光伏组件V-I特性曲线,确定了缺陷的存在.
- 施光辉崔亚楠刘小娇涂晔钱福丽廖华胡志华
- 关键词：光伏组件电致发光V-I特性
- 一种硅基钙钛矿叠层太阳电池及其制造方法
- 本发明属新型叠层太阳电池领域，具体为一种硅基钙钛矿叠层太阳电池及其制造方法，将硅基HIT太阳电池与新型钙钛矿薄膜太阳电池相结合，具有金属背电极/N型硅片/i-a-Si:H/p-a-SiOx:H/n-a-SiOx:H/CH...
- 胡志华施光辉刘小娇
- 文献传递
- 化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性被引量：1
- 2017年
- 采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱,计算和分析材料在可见光区域的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域吸收系数很大,且随波长的减小而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14、3.07 e V。
- 刘洁青姚朝晖徐锐刘剑虹赵兴玲刘小娇
- 关键词：缓冲层硒化锌结构特性光学特性
- PECVD制备氢化硅氧薄膜及其光电特性研究
- 硅基薄膜材料具有原料储存丰富、材料和制造成本低廉、制备技术成熟及易于大面积加工、并且易于实现柔性电池等优点,其应用范围广泛待开发的空间大。在众多类型的薄膜材料中,氢化硅氧薄膜材料有其独特的优势,且是具有广阔应用前景的新型...
- 刘小娇
- 关键词：PECVD
- RF-PECVD制备硼掺杂氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶H)薄膜及其光电特性研究
- 2018年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,在不同CO2与硅烷气体流量比（RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0）、衬底温度（TS=200℃）、乙硼烷掺杂浓度（RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%）、高氢稀释比（RH=[H2]/[SiH4]=200）、高气压（220 Pa）和高功率密度（1 W·cm^-2）条件下制备一系列氢化非晶硅氧（a-SiOx∶H）薄膜。通过分光光度计（UV-VIS）透射谱分析薄膜折射率n、光学带隙Eg与RC的关系;采用绝缘电阻测试仪进行变温暗电导测试,分析讨论暗电导σd、激活能Ea与RC的关系;运用傅里叶变换红外光谱（FTIR）对薄膜的键合模式及薄膜中氧、氢含量进行分析表征。结果显示,随RC增加,薄膜光学带隙展宽,折射率减小,激活能Ea增大,费米能级向导带底移动,薄膜缺陷增多。
- 刘小娇施光辉殷俊传刘虹霞涂晔胡志华
- 关键词：硼掺杂激活能
- 一种新型叠层薄膜太阳电池及其制造方法(a-Si:H/a-SiGe:H/CIGS或CZTS叠层太阳电池及其制造方法)
- 本发明属高效低成本薄膜太阳电池领域，具体为一种新型叠层薄膜太阳电池及其制造方法（a-Si:H/a-SiGe:H/CIGS或CZTS叠层太阳电池及其制造方法）。本发明以玻璃为基底，按照Mo、CIGS或CZTS底电池吸收层、...
- 胡志华施光辉刘小娇
- 文献传递
