- CVD法在不同基底上制备碳纳米管及其机制研究
- 碳纳米管(CNTs)具有优越的电学性能,在电子器件的制备方面有广阔的应用前景。化学气相沉积法(CVD)能够在基底上直接得到碳纳米管阵列,具有程序简单、产物纯度较高的优点。采用 CVD 法制备碳纳米管时,碳管的生长具有选择...
- 周雅
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积
- 文献传递
- 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法
- 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到40Pa以下，并使炉...
- 张政军周雅岳阳
- 文献传递
- 利用化学气相沉积法在SiO_2小球基底上制备纳米碳管的研究(英文)
- 2007年
- 利用匀胶机将经过超声混合的二氧化硅小球的酒精溶液旋涂在洗净的硅片上,获得了具有曲面的纳米碳管生长基底。利用以二茂铁和二甲苯作为反应前驱体的化学气相沉积法在该基底上实现了碳管在二氧化硅与硅之间的选择性生长,并在不同的沉积温度条件下,可以分别获得球状和束状碳管产物。通过扫描电镜观察分析经过退火处理的原始基底的表面形貌,讨论了碳管产物与反应温度之间的关系。
- 刘超李正操张政军岳阳周雅
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积
- 利用水和二茂铁的化学气相沉积方法制备α-Fe_2O_3纳米颗粒的圆形图形的研究(英文)被引量：1
- 2006年
- 利用水和二茂铁作原料,通过化学气相沉积的方法在950℃以上可以在二氧化硅表面上制备出二氧化铁纳米颗粒组成的圆形图形。研究发现,这些圆形图形的特点,包括图形的平均尺寸和尺寸分布、图形之间的平均间隔、以及组成这些图形的氧化铁纳米颗粒的大小等,同沉积温度、水和二茂铁的比例等密切相关。通过调整这些实验参数,我们在较大面积的二氧化硅基片上成功地制备出氧化铁纳米颗粒的圆形图形阵列。这些圆形图形阵列有可能作为纳米碳管等一维材料的制备模板。这些图形以及组成它们的纳米颗粒的特点有可能对沉积的纳米材料的形貌和性能等产生影响。
- 周雅张政军岳阳
- 关键词：化学气相沉积
- 一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法
- 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直碳纳米管阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为二茂铁和二甲苯。制备时，首先将洁净的硅基底置于石英真空管式炉中，使炉管内气压达到40Pa以下，并使炉...
- 张政军周雅岳阳
- 文献传递
- 利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法
- 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于...
- 张政军周雅岳阳
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- 利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法
- 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于...
- 张政军周雅岳阳
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