朱慧娟
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3(SRO/STO)异质结上制备了外延BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器。研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5 V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2。通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制。在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故。由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大。
- 彭增伟姜庆华朱慧娟王晋峰刘保亭
- 关键词：溶胶-凝胶
- Pb（Zr/_xTi/_/(1-x/)）O/_3和BiFeO/_3基铁电薄膜微结构和物理性能
- 采用电阻-电容串联电路对比研究了Pb/(Zr/_/(0.2/)Ti/_/(0.8/)/)O/_3和Pb/(Zr/_/(0.4/)Ti/_/(0.6/)/)O/_3铁电薄膜的反转特性，研究发现：Pb/(Zr/_/(0.2/...
- 朱慧娟
- 关键词：铁电薄膜开关电流
- 文献传递
- (La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3为电极的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3和Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3铁电电容器结构及电学性能被引量：1
- 2013年
- 分别采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO)和Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上构架了LSCO/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT(40/60))/LSCO和LSCO/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3(PZT(20/80))/LSCO铁电电容器,研究了两种铁电电容器的结构和性能。XRD结构分析表明:两种四方相的不同Zr/Ti比例的PZT薄膜均为结晶良好的多晶钙钛矿结构。在5 V测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO和LSCO/PZT(20/80)/LSCO两种铁电电容器的剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为:28μC/cm2和1.2 V以及32μC/cm2和2 V。相对于PZT(40/60),PZT(20/80)具有较大的剩余极化强度和矫顽场,是由于其矩形度(c/a)较大。两种电容器都具有较好的脉宽依赖性和抗疲劳性。在5 V的测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO电容器的漏电流密度为3.2×10-5A/cm2,LSCO/PZT(20/80)/LSCO电容器的漏电流密度为3.11×10-4A/cm2,经拟合分析发现:在0～5 V的范围内,两种电容器都满足欧姆导电机制。
- 贾冬梅刘保亭彭增伟郝彦磊朱慧娟张宪贵
- 关键词：铁电电容器矫顽场
- 保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO_3薄膜结构和性能的影响
- 2013年
- 本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,并构架了Pt/BFO/Pt异质结电容器。利用X射线衍射(XRD)、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响。XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构,在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相,其它的温度均有明显的杂相。在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线,在900 nm厚度的情况下,剩余极化强度仍可以达到Pr>40μC/cm2,达到了实际应用的要求Pr>10μC/cm2。漏电流拟合机制表明在低场下属于欧姆机制,在高场下比较接近空间电荷限制电流(SCLC)机制。
- 郝彦磊刘保亭彭增伟贾冬梅朱慧娟张宪贵
- 关键词：XRDBIFEO3
- 硅基外延SrRuO_3/PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3/SrRuO_3电容器的结构和性能研究
- 2013年
- 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5 V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8 V。当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。
- 朱慧娟刘保亭代秀红郭建新周阳
- 关键词：硅衬底
