杨文波
- 作品数：46 被引量：15H指数：2
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信电气工程更多>>
- 一种微通道板分辨力的测量装置
- 本实用新型公开了一种微通道板分辨力的测量装置，主要用于微通道板生产厂家和用户测量其分辨力。主要技术方案是：装置结构，在真空腔内，配合安装一个夹具，真空腔的上盖有一个观察窗，在观察窗的上部安装有光学镜头、CCD摄像机，CC...
- 李晓峰杨文波张勤东余家粱褚祝军周善堃
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- 一种模拟像增强器近贴距离参数的测试装置及方法
- 本发明公开了一种模拟像增强器近贴距离的参数测试装置及方法，包括紫外光源、阴极输入窗、外置环形磁铁、阴极装配环、导向柱、阳极装配环、管壳、导向筒、观察窗、耦合成像镜头、CCD、内置环形磁铁、旋转筒、微通道板、阳极输出窗及真...
- 谭何盛杨文波邓华兵张昆林冯云祥刀丽纯靳英坤
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- 一种用光锥做输出窗的像增强器
- 本实用新型公开了一种用光锥做输出窗的像增强器，主要用于微光电视系统中，与CCD耦合，将像增强器输出的图像传输到CCD的输入表面。其主要技术方案是：将光锥封接在阳极法兰盘上，然后在光锥的大端面上制作荧光屏，再将阳极法兰盘焊...
- 李晓峰杨文波张昆林邱永生李彪
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- 超二代微光像增强器Na_2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究被引量：1
- 2011年
- 利用785nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹,与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比,与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度,就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.
- 李晓峰宋开俊刘如彪杨文波
- 关键词：光致荧光逸出功光电发射多碱光电阴极
- 一种紫外ICMOS图像探测器
- 本实用新型公开了一种紫外ICMOS图像探测器，要用于在长距离的电力输送中，对输电塔、输电线路的故障检查。主要技术方案是：在壳体左部，固定安装紫外像增强器，在壳体右部，耦合座粘接在CMOS图像传感器的陶瓷片上，紫外像增强器...
- 李晓峰杨文波陈超冯辉王志宏
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- 一种消除光学纤维面板暗网格被输出的像增强器结构
- 本发明公开了一种消除光学纤维面板暗网格被输出的像增强器结构，主要用于以光学纤维面板作为输入窗的微光像增强器，消除光学纤维面板存在的暗网格缺陷被输出的技术问题。其主要技术方案是：在输入窗光纤面板的内表面和光电阴极之间镀制一...
- 李晓峰许有毅瞿利平杨文波陈卫军
- 微光像增强器测试系统
- 一种微光像增强器测试系统，包括用于容纳被测试的微光像增强器的测试箱、用于给所述被测试的微光像增强器提供工作电源的测试电源组件、用于给所述被测试的微光像增强器提供测试光信号输入的光照组件、以及用于接收由所述被测试的微光像增...
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- 一种V型通道微通道板的制作方法
- 本发明公开了一种V型通道微通道板的制作方法，主要用于高增益的V型通道微通道板的制作。主要技术方案是：制作V型通道微通道板的热粘接工序的操作步骤：a清洁夹具、b检查清洁白板、c安装第一片白板、d安装第二片白板、e放置石墨片...
- 李晓峰孙建宁张勤东张诗鲲冯辉孙赛林杨文波李浩雷
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- 一种小型化高增益低照度夜视成像器件
- 本发明公开了一种小型化高增益低照度夜视成像器件，主要用于军用头盔夜视仪和相关行业用的类似夜视产品。其主要技术方案：管壳输入端与输入窗密封焊接，管壳末端与CMOS图像传感器输出端密封焊接；光电阴极镀制在输入窗内表面有效区内...
- 张昆林靳英坤谭何盛杨文波苏德坦朱锦文李晓露
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- 用光致荧光研究多碱阴极光电发射机理被引量：10
- 2012年
- 本文介绍了多碱光电阴极的特点及其在微光像增强器中的应用,叙述了光致荧光的原理,探索了利用光致荧光方法来研究多碱阴极Na2KSb膜层电子跃迁几率的方法,并测量了两个不同灵敏度多碱阴极的荧光谱及同一个多碱阴极在工作和非工作两种状态下的荧光谱.测试结果表明,多碱阴极的荧光强度与其电子跃迁的几率及阴极灵敏度成正比,同时多碱阴极在工作状态下,荧光强度比非工作状态下有所降低,原因是一部分跃迁电子逸出多碱阴极产生光电发射,而这部分电子不再回到基态,因此不再发出荧光.另外本文还测量了多碱阴极在不同波长激光激发条件下的荧光谱.结果表明,长波激发与短波激发相比,长波激发所获得的荧光强度更高,这说明长波激发产生跃迁电子的几率高,同时荧光谱峰值波长与激光波长的偏移较小,因此跃迁电子数多且能量损失小,有利于光电发射.将多碱阴极的荧光谱与多碱阴极的量子效率相比较,看出跃迁电子数量和所处能级这两个对光电发射过程有影响的关键因素中,能级因素对光电发射过程的影响更大.但对多碱阴极而言,由于短波激发时的电子跃迁几率低于长波激发时的电子跃迁几率,跃迁电子扩散过程中的能量损失较大,因此短波的量子效率随波长的增加而增加.实践证明,光致荧光是研究多碱阴极光电发射过程的一种有效手段,通过对多碱阴极荧光谱的研究,进一步揭示了多碱阴极的光电发射的机理,为进一步改进工艺和提高多碱阴极的灵敏度提供了重要的参考价值.
- 李晓峰李晓峰杨文波王俊
- 关键词：光致荧光波长量子效率
