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田亮

作品数：4 被引量：17H指数：3
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
发文基金：上海-AM基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇射频
  • 2篇放大器
  • 2篇SIGE_B...
  • 2篇BICMOS
  • 2篇SIGE
  • 1篇低杂散
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电路
  • 1篇多模
  • 1篇多模多频
  • 1篇多频
  • 1篇杂散
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇射频开关
  • 1篇收发
  • 1篇收发器

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 1篇上海电力学院

作者

  • 4篇陈磊
  • 4篇赖宗声
  • 4篇周进
  • 4篇田亮
  • 2篇黄爱波
  • 2篇阮颖
  • 1篇何伟

传媒

  • 4篇微电子学

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
低杂散锁相环中电荷泵的设计被引量：3
2009年
采用IBM0．18μm CMOS工艺，设计了一款应用于433MHzASK接收机中低杂散锁相环的电荷泵电路。设计采用与电源无关的带隙基准偏置电流源和运算放大器，实现了电荷泵充放电电流源的精确匹配，有效抑制了传统电荷泵对锁相环锁定状态中杂散信号的影响。电路在Cadence的Spectre工具下进行仿真，结果表明：当电源电压为1．8V、参考电流为30μA、输出电压范围在0．5～1．5V时，充放电电流精确匹配，杂散小于-80dB，其性能符合接收机系统要求。
黄爱波何伟周进田亮陈磊赖宗声
关键词：锁相环电荷泵杂散
一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2
2009年
基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4～2.5GHz802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能。仿真结果表明:该电路在2.4GHz到2.5GHz频率范围内,增益(S21)达到25dB,噪声系数(NF)小于1.5dB,大幅度提高了收发机系统的性能。此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15dB,1dB压缩点大于-25dBm。电源电压为2.5V时电路总电流为3mA。
周进田亮陈磊阮颖赖宗声
关键词：低噪声放大器SIGEBICMOS
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器被引量：7
2010年
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。
阮颖陈磊田亮周进赖宗声
关键词：射频功率放大器SIGEBICMOS
低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究被引量：5
2009年
基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。
田亮陈磊周进黄爱波赖宗声
关键词：SOI射频开关CMOS高隔离度
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