陆江
- 作品数：100 被引量：20H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：四川省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程电气工程更多>>
- 基于功率MOS线性高压放大器设计被引量：1
- 2010年
- 为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。
- 张浩王立新陆江刘肃
- 关键词：功率MOSFET运算放大器功率驱动
- 一种绝缘栅双极晶体管
- 本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：N+发射极，Pwell区域，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区；载流子存储层；P注入层；无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏...
- 陆江刘海南蔡小五卜建辉罗家俊
- 一种晶体管、钳位电路及集成电路
- 本发明公开了一种晶体管、钳位电路及集成电路，所述晶体管包括：衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的...
- 蔡小五罗家俊刘海南曾传滨卜建辉陆江赵海涛
- 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构
- 本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在P衬底内设置有第一N型掺杂区、P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一N型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且，第二N型重掺杂区位于第一...
- 蔡小五曾传滨赵海涛刘海南卜建辉陆江罗家俊
- 文献传递
- 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管
- 本申请提供的一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：集电极、发射极，栅极，所述栅极的底部区域形成横向展宽结构；埋栅结构，所述横向展宽结构的下方横向扩展形成所述埋栅结构；其中，所述埋栅结构与发射极电位...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
- 文献传递
- 一种用于130mm功率器件的结电容测试电路及装置
- 本实用新型公开了一种本用于130mm功率器件模块的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括三个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输...
- 高振鹏朱阳军陆江胡爱斌佘超群成星
- 文献传递
- 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
- 本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell...
- 陆江刘海南卜建辉蔡小五罗家俊
- N沟道SiC IGBT器件的制作方法
- 本说明书提供一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法，包括：形成重掺杂的N型SiC衬底；在SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层，在SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层；在SiC漂移层的Si面制作MOS结构...
- 冯旺田晓丽杨雨白云陆江刘新宇
- 文献传递
- 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法
- 本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET功率器件及其制造方法，该功率器件包括：源极(1)、SiO<Sub>2</Sub>层间介质(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P+接触区(5)、N+源区(6)、P阱(7)、额外注入...
- 宋瓘白云陈宏汤益丹杨成樾田晓丽陆江刘新宇
- 文献传递
- 集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
- 2024年
- 随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固技术的研究进展进行了介绍和总结,为抗辐射工艺加固技术的发展与应用提供了有益参考。
- 李博王磊李博王磊王磊舒磊
- 关键词：总剂量效应单粒子效应集成电路功率器件
