吴涛
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- 980nm高功率锥形激光器巴条的制备及光电特性被引量：2
- 2016年
- 采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片进行了一系列的光电性能测试,实验结果表明,巴条器件的阈值电流为10 A,斜率效率为0.8 W/A,最大转化效率为40%。在80 A电流下,巴条的输出功率可达55.6 W。发光点测试结果表明,巴条上面的20个单芯片全部激射出光。单芯片的光电测试结果表明,单管器件的阈值电流为0.5 A,最大光电转化效率为51%。在10 A电流时,单管器件的输出功率达7 W。连续光功率为5 W时,慢轴远场半峰全宽发散角为4.9°,光束质量传播因子M^2为4.6。
- 吴涛郭栓银
- 关键词：激光器高功率
- GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究被引量：1
- 2015年
- 为了获得应用于AlGaAs激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）低温条件下在GaAs衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜（AFM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）等技术对薄膜残余应力、表面形貌、折射率等进行了分析。结果表明,薄膜的残余应力随沉积功率的增加而变大;随气压先降低后变大,在200 Pa时仅为6 MPa。薄膜的表面粗糙度随功率的提高而变大;随气压的提高而减小。功率和气压对薄膜的折射率影响不大,均在2.0～2.2之间。薄膜中氢的存在形式为N-H键。选择合适的功率和气压,可以在低温下获得极低应力和优异表面形貌的氮化硅薄膜。
- 吴涛江先锋
- 关键词：激光器等离子增强化学气相沉积氮化硅薄膜残余应力表面粗糙度
- 低温沉积SiO_2薄膜工艺的研究被引量：1
- 2013年
- 利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40 nm/min,片内均匀性优于3%,折射率为1.46±0.003,并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低,薄膜性能好,因此可以作为绝缘层或介质层,应用于柔性电子领域。
- 李璟文周艺吴涛章强
- 关键词：PECVDSIO2
- 一种高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵封装方法
- 本发明公开了一种高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵封装方法，利用特殊工装夹具，采用高温硬焊料将n个巴条、n+1个导电散热隔块和n+1个电绝缘散热片交替堆叠、一次回流焊接成激光器巴条叠阵单元，然后采用温度相对较低的软焊料...
- 江先锋张丽芳孙博书张爱鲁吴涛李江
- 文献传递
- 一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
- 本实用新型公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光...
- 周旻超吴涛李江
- 文献传递
- 脉冲镀金在半导体激光器中的应用及工艺优化被引量：4
- 2015年
- 为提高半导体激光器芯片的焊接成功率以及器件的性能寿命，采用脉冲电镀技术在半导体激光器芯片 P 面沉积了厚金层，详细研究了镀金液 pH 值和电流通断比对镀金层组织形貌、表面粗糙度、内应力、沉积均匀性以及粘附力的影响规律。结果表明，表面粗糙度随 pH 值的升高或通断比的提高而增大。沉积均匀性随 pH 的增大先降低后升高，而随通断比的增大而变差。pH 较大（＞10．0）或较小（＜8．5）时，镀金层粘附性均不理想。而通断比对镀金层的粘附性影响不大。不同条件下，金膜内应力均为张应力，大小为29～88 MPa。
- 吴涛
- 关键词：激光器脉冲电镀表面粗糙度内应力
- 退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用磁控溅射的方法在P型GaAs衬底上沉积了Ti／Pt／Au金属薄膜，研究了退火工艺参数（温度和时间）对p-GaAs／Ti／Pt／Au欧姆接触性能的影响。结果表明：p-GaAs上制作的Ti／Pt／Au金属系统能在很短的退火时间（60S）内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间，并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400-450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃，退火时间为120S时，比接触电阻率达到最低，为1．41×10^-6Ω·cm2。
- 吴涛江先锋周旻超郭栓银张丽芳
- 关键词：欧姆接触磁控溅射退火比接触电阻率
- 一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置
- 本发明公开了一种半导体激光器巴条的器件性能测量装置，包括快轴准直微透镜，所述快轴准直微透镜前面设置有分光板，所述分光板的两侧分别设置有巴条弯曲度及近场光强分布测试模块和巴条空间光谱分布测试模块，所述巴条弯曲度及近场光强分...
- 周旻超吴涛李江
- 文献传递
