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许中广
作品数:
17
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所纳米加工...
霍宗亮
中国科学院微电子研究所纳米加工...
谢常青
中国科学院微电子研究所
朱晨昕
中国科学院微电子研究所纳米加工...
张满红
中国科学院微电子研究所纳米加工...
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中国科学院微...
作者
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霍宗亮
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刘明
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许中广
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张满红
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1篇
2011
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一种半导体存储器件
本发明公开一种半导体存储器件,包括:存储单元;每个所述存储单元包括字线、位线、阻变存储器件、选通器件和存储电容;所述阻变存储器件的一端与所述位线相连,另一端与所述选通器件的源极/漏极相连;所述选通器件的栅极与一条所述字线...
刘明
许中广
霍宗亮
龙世兵
谢常青
张满红
李冬梅
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一种非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法,该存储器包括:硅衬底;在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区;在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层;以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的...
刘明
许中广
朱晨昕
霍宗亮
谢常青
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复合存储器
本发明公开了一种复合存储器。该复合存储器包含若干个复合存储单元。该复合存储单元包括:浮栅子单元;以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元;其中,RRAM子单元作为存储模块时,浮栅子单元作为选通模块;...
刘明
许中广
霍宗亮
谢常青
龙世兵
张满红
李冬梅
王琴
刘璟
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一种金属纳米晶存储器的制备方法
本发明公开了一种金属纳米晶存储器的制备方法。该方法包括:在衬底上沉积隧穿介质层;将金属纳米晶胶体喷射沉积在隧穿介质层上,并使金属纳米晶胶体中的溶剂挥发,剩余金属纳米晶在隧穿介质层表面形成金属纳米晶存储层;在金属纳米晶存储...
刘明
许中广
霍宗亮
朱晨昕
谢常青
张满红
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一种多值非挥发存储器及其制备方法
本发明涉及一种多值非挥发存储器及其制备方法。所述存储器包括半导体衬底,在沿存储器位线的方向上,半导体衬底的两端分别包括源电极和漏电极,在沿存储器子线的方向上,半导体衬底的两端分别包括浅沟槽隔离结构,在半导体衬底上依次设置...
刘明
许中广
霍宗亮
谢常青
龙世兵
李冬梅
朱晨昕
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一种半导体存储器件
本发明公开一种半导体存储器件,包括:存储单元;每个所述存储单元包括字线、位线、浮栅存储器件和动态存储电容;所述浮栅存储器件的栅极与一条所述字线相连,源极与另一条所述字线相连,漏极与所述位线相连;所述动态存储电容的一端与所...
刘明
许中广
霍宗亮
张满红
谢常青
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多功能存储单元、阵列及其制造方法
本发明实施例公开了一种多功能存储单元,包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器,所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区;位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器。通过将电荷...
刘明
许中广
霍宗亮
谢常青
龙世兵
张满红
李冬梅
王琴
刘璟
朱晨昕
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一种多值非挥发存储器及其制备方法
本发明涉及一种多值非挥发存储器及其制备方法。所述存储器包括半导体衬底,在沿存储器位线的方向上,半导体衬底的两端分别包括源电极和漏电极,在沿存储器子线的方向上,半导体衬底的两端分别包括浅沟槽隔离结构,在半导体衬底上依次设置...
刘明
许中广
霍宗亮
谢常青
龙世兵
李冬梅
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一种非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法,该存储器包括:硅衬底;在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区;在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层;以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的...
刘明
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混合存储器件及其控制方法、制备方法
本发明公开了一种混合存储器件及其控制方法、制备方法。该混合存储器件包括:铁电存储单元;及形成于铁电存储单元的漏极之上的阻变存储单元;混合存储器件在两种存储模式间切换:在第一种存储模式中,阻变存储单元作为存储模块,铁电存储...
刘明
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