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赵杨杨

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇阈值电压
  • 2篇引线
  • 2篇增强型
  • 2篇内引线
  • 2篇功率MOS器...
  • 2篇TSV
  • 2篇硅
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电压测试
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇通孔
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇阈值
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇集成电路

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇赵杨杨
  • 4篇游海龙
  • 4篇贾新章
  • 2篇顾铠
  • 2篇刘鹏
  • 1篇张宇
  • 1篇刘鹏

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法
本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是：（1）检查器件外观，获取表面完好的器件；（2）“两线法”测量器件阈值电压；（3）判定是否存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的器件；（4）“三线法”测...
游海龙赵杨杨贾新章顾铠刘鹏
文献传递
VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析被引量：1
2014年
讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。
赵杨杨游海龙刘鹏张宇贾新章
关键词：VDMOS阈值电压
TSV诱发应力对邻近MOS器件特性的影响
TSV材料与硅衬底的热膨胀系数的不同,三维集成中TSV互连周围存在机械应力.TSV诱发应力改变了临近衬底载流子的迁移率,对衬底表面的MOS器件产生影响.本文基于TSV诱发应力的分布模型,并结合半导体压阻方程得到了TSV邻...
赵杨杨游海龙贾新章
关键词：金属-氧化物-半导体器件迁移率
TSV诱发应力对邻近MOS器件的效应研究
近年来，三维集成（Three-Dimensional Integration，3D IC）由于其良好的性能和应用前景得到了广泛的研究和关注。基于硅通孔（Through Silicon Via，TSV）互连技术的3D IC...
赵杨杨
关键词：集成电路应力分布芯片设计
增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法
本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是：（1）检查器件外观，获取表面完好的器件；（2）“两线法”测量器件阈值电压；（3）判定是否存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的器件；（4）“三线法”测...
游海龙赵杨杨贾新章顾铠刘鹏
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