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陈军

作品数:2 被引量:13H指数:2
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市博士后科研资助计划资助更多>>
相关领域:核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇粗糙度
  • 1篇真空
  • 1篇真空镀
  • 1篇抛光
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇结合力
  • 1篇晶体
  • 1篇机械抛光
  • 1篇机械研磨
  • 1篇
  • 1篇CDZNTE...

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇张继军
  • 2篇梁小燕
  • 2篇闵嘉华
  • 2篇陈军
  • 1篇夏义本
  • 1篇王林军
  • 1篇王东
  • 1篇李辉
  • 1篇彭兰
  • 1篇严晓林

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究被引量:4
2010年
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数。研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜。采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低。
陈军闵嘉华梁小燕张继军王东李辉
关键词:CDZNTE晶体粗糙度结合力位错密度
碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究被引量:9
2011年
研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺。采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响。结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm2和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min。AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm。
彭兰王林军闵嘉华张继军陈军梁小燕严晓林夏义本
关键词:碲锌镉机械研磨机械抛光粗糙度
共1页<1>
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