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冯朋

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单模
  • 3篇激光
  • 2篇微槽
  • 2篇互连
  • 2篇激光光源
  • 2篇光互连
  • 2篇光源
  • 2篇硅波导
  • 2篇波导
  • 1篇单模激光
  • 1篇单模激光器
  • 1篇微结构
  • 1篇激光器
  • 1篇光子
  • 1篇光子集成
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光光...
  • 1篇边模抑制比

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇郑婉华
  • 3篇冯朋
  • 2篇张冶金
  • 2篇王海玲
  • 2篇王宇飞
  • 1篇刘安金
  • 1篇刘磊
  • 1篇彭红玲
  • 1篇渠红伟

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
应用于光子集成的硅基混合集成人工微结构硅波导输出激光器研究
2014年
目前,硅光子集成在光通信和信号处理、微电子系统的片内和片间互连领域成为研究热点。虽然其基础元件如波导、输入/输出(I/O)耦合器、波分复用器、调制器和光探测器性能达到了一定水平,但是硅光子集成回路仍面临挑战,原因是硅基激光光源的制作仍然是一个技术难题。综述了近年来硅基混合集成激光器的进展,介绍了课题组的研究成果。将微结构引入到硅基混合集成硅波导输出激光器中,提出了新型的III-V/硅混合集成的微结构硅波导输出单模激光器。此新型激光器工作在通信波段。其中,InGaAlAs增益结构是通过晶片直接键合的方式与具有微结构的SOI(Si/SiO2/Si)集成。激光器模式选择机制是基于SOI中的周期微结构,仅通过标准光刻即可实现。微结构激光器室温连续输出为0.85mW,脉冲输出为3.5mW,边模抑制比为25dB。
王海玲张冶金冯朋渠红伟郑婉华
关键词：激光器微结构单模激光器边模抑制比
一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源
本发明公开了一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源，该激光光源包括叠层设置的锥形(Taper)增益结构和SOI脊型波导结构，其中该锥形增益结构通过回流焊技术倒装贴合于该SOI脊型波导结构之上。本发明通过在周期性微槽混合激光...
郑婉华王海玲冯朋张斯日古楞王宇飞刘安金
文献传递
一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源
本发明公开了一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源，该激光光源包括叠层设置的锥形(Taper)增益结构和SOI脊型波导结构，其中该锥形增益结构通过回流焊技术倒装贴合于该SOI脊型波导结构之上。本发明通过在周期性微槽混合激光...
郑婉华冯朋张冶金彭红玲张斯日古楞王宇飞刘磊
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