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胡立业

作品数:3 被引量:22H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:自动化与计算机技术机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇压力传感器
  • 1篇压强
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇圆片
  • 1篇气密
  • 1篇气密性
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇力传感器
  • 1篇密封
  • 1篇接缝
  • 1篇结构力
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇剪切强度
  • 1篇键合
  • 1篇键合强度
  • 1篇感器

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇胡立业
  • 2篇何洪涛
  • 1篇韩建栋
  • 1篇杨志
  • 1篇杜少博
  • 1篇王伟忠
  • 1篇边国辉

传媒

  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2015
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器被引量:22
2015年
提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器。分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径,根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡,开发了压阻式SiC高温压力传感器。通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计,解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点,最终加工形成SiC高温压力传感器芯片。经过高温带电测试,加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号,传感器非线性指标达到1.054%,芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V,证明了整套技术的有效性。
何洪涛王伟忠杜少博胡立业杨志
关键词:SIC压力传感器ANSYS软件
Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低原因分析
2023年
分析了某MEMS器件Sn-Cu-Au低温圆片键合强度偏低的原因,发现该问题主要由“金脆”现象引起。结合实践经验和相关文献,总结了“金脆”现象发生的一般规律,制定了一个可以避免该现象发生的工艺方案,并开展了针对性的验证试验。试验结果表明,通过优化键合焊料系统的组分配比可以避免“金脆”现象的发生,同时也证实了这一措施是可行有效的。
胡立业何洪涛杨志
关键词:键合金属间化合物键合强度剪切强度
一种电子产品封装盒
本实用新型公开了一种电子产品封装盒,其特征在于:包括上开口的盒体和与盒体内壁呈嵌入式密封连接的盒盖,盒体和盒盖构成一密封的空腔;其优点在于:本产品的盒体和盒盖之间采用嵌入式密封连接方式,即盒盖嵌入盒体前侧板和后侧板相对一...
胡立业边国辉王玉田韩建栋
文献传递
共1页<1>
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