- 标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究
- 2009年
- 设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计。仿真结果表明,在850 nm光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 mA/W的响应度。整个集成芯片的工作速率为400 Mb/s,增益为0.81 kV/W,功耗为91 mW。
- 陈伟程翔卞剑涛陈朝芦晶
- 关键词：光电集成CMOSSPICE模型前置放大器
- 光学头中单片光电集成硅基PDIC的设计
- 2010年
- 针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC。芯片采用CSMC的0.5μmBCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路。重点介绍了p-i-n光电探测器及前置放大电路的设计思想。仿真结果表明,用于光电检测的p-i-n光电探测器在650 nm光照下响应度达0.2 A/W,互阻放大器的-3 dB带宽达到94 MHz,跨阻增益达150 kΩ。可以满足DVD系统的性能要求。
- 柯庆福程翔芦晶张寅博李继芳陈朝
- 关键词：单片集成BCD前置放大器
- 光收发器中光电集成接收芯片的实现
- 2010年
- 针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测试性能结果。结果表明,在850nm光照下,光接收芯片带宽达到53MHz,工作速率为72Mbit/s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求。
- 芦晶程翔颜黄苹李继芳柯庆福陈朝
- 关键词：单片集成
- 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
- 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN<Sup>+</Sup>...
- 颜黄苹程翔卞剑涛陈朝芦晶
- 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法
- 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN<Sup>+</Sup>...
- 颜黄苹程翔卞剑涛陈朝芦晶
- 文献传递
