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阴聚乾

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇声表面波
  • 7篇声表面波器件
  • 5篇机电耦合系数
  • 4篇压电薄膜
  • 4篇溅射
  • 3篇多层膜
  • 3篇纳米
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇声速
  • 2篇膜厚
  • 2篇纳米AL
  • 2篇薄膜厚度
  • 2篇ZNO
  • 2篇传播损耗
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇淀积

机构

  • 9篇天津理工大学

作者

  • 9篇阴聚乾
  • 8篇陈希明
  • 6篇孙连婕
  • 6篇郭燕
  • 6篇张倩
  • 4篇薛玉明
  • 4篇朱宇清
  • 4篇李福龙
  • 1篇杨保和
  • 1篇吴晓国
  • 1篇张倩

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 4篇2013
  • 5篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件及制备方法
一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，以a-轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c-轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a-轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构并与叉指换能器IDT依次叠加构成...
陈希明郭燕薛玉明孙连婕阴聚乾张倩
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一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法
一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金...
陈希明孙连婕薛玉明郭燕阴聚乾张倩
文献传递
一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法
一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25u...
陈希明李福龙薛玉明朱宇清张倩阴聚乾郭燕孙连婕
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基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法
一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加构成，形成IDT/c-AlN/a-AlN/金刚石多层膜结构；其制备方法是：1...
陈希明阴聚乾
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基于SAW器件“ZnO/(100)AlN/Diamond”多层膜的制备研究
声表面波器件被广泛用于通信领域，而声表面波技术是集光学、声学、电子学以及半导体工艺技术等多门学科的边缘学科。作为声表面波传播的弹性固体即压电薄膜的制备及其性能研究就显得尤为重要。ZnO、AlN等压电薄膜以其优良的物理性能...
阴聚乾
关键词：声表面波器件
一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法
一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌...
陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
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Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究被引量：4
2013年
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。
张倩陈希明杨保和阴聚乾吴晓国
一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜及制备方法
一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，为h-BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h-BN膜依次叠加组成，其制备方法是采用MOCVD沉积系统制备，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体...
陈希明张倩阴聚乾朱宇清李福龙郭燕孙连婕
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一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法
一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚...
陈希明李福龙薛玉明朱宇清张倩阴聚乾郭燕孙连婕
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