张学宇
- 作品数：26 被引量：17H指数：3
- 供职机构：长春工业大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金吉林省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种碳纳米管增强型超硬薄膜的制造方法
- 本发明公开了一种碳纳米管增强型超硬薄膜的制造方法，该方法采用物理气相沉积和化学气相沉积相互结合的方法，分别交替在基体上沉积氮化钛(TiN)薄膜和碳纳米管，在氮化钛(TiN)硬质薄膜中加入与基体表面平行分布的碳纳米管。利用...
- 张学宇吕威
- 文献传递
- 一种基于双功能兼容电极的光辅助充电电池
- 本发明公开了一种基于双功能兼容电极的光辅助充电电池，将太阳能电池与锂离子电池结合在一起，将水热法制备的硫化亚铜作为一个共同电极来实现能量存储与释放的功能，并将硫化亚铜直接刮涂在N719钌染料敏化的二氧化钛光阳极表面，构成...
- 段连峰徐翀吕威张旭张学宇张远朋
- 文献传递
- 一种铝合金及其制备方法
- 本发明涉及铝合金领域，具体公开一种铝合金及其制备方法，该铝合金包括铝合金基体及位于所述铝合金基体表面的硬质阳极氧化膜，所述硬质阳极氧化膜表面具微孔，所述微孔内壁附着有硬质阳极氧化过程中产生的微粒。该方法步骤包括：将需处理...
- 李雪松高二龙魏广宁吕威张学宇
- 文献传递
- ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究
- 叠层薄膜太阳能电池作为新一代太阳能电池,正在受到越来越多的关注。硅作为当今研究最广泛的半导体材料,以其成熟的工艺技术及地球壳层中丰富的含量在新一代太阳能电池的应用中仍占有重要的地位。叠层电池中每一个单独p-i-n结构的电...
- 张学宇吴爱民胡娟岳红云闻立时
- 关键词：ECR-PECVD磷烷N型硅
- 文献传递
- 一种铝合金及其制备方法
- 本发明涉及铝合金领域，具体公开一种铝合金及其制备方法，该铝合金包括铝合金基体及位于所述铝合金基体表面的硬质阳极氧化膜，所述硬质阳极氧化膜表面具微孔，所述微孔内壁附着有硬质阳极氧化过程中产生的微粒。该方法所述步骤包括：将需...
- 李雪松魏广宁吕威张学宇
- 一种基于双功能兼容电极的光辅助充电电池
- 本发明公开了一种基于双功能兼容电极的光辅助充电电池，将太阳能电池与锂离子电池结合在一起，将水热法制备的硫化亚铜作为一个共同电极来实现能量存储与释放的功能，并将硫化亚铜直接刮涂在N719钌染料敏化的二氧化钛光阳极表面，构成...
- 段连峰徐翀吕威张旭张学宇张远朋
- 文献传递
- 一种铝合金及其制备方法
- 本发明涉及铝合金领域，具体公开一种铝合金及其制备方法，该铝合金包括铝合金基体及位于所述铝合金基体表面的硬质阳极氧化膜，所述硬质阳极氧化膜表面具微孔，所述微孔内壁附着有硬质阳极氧化过程中产生的微粒。该方法步骤包括：将需处理...
- 李雪松高二龙魏广宁吕威张学宇
- 文献传递
- ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜被引量：1
- 2011年
- 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5~8 nm;当H2流量在20~40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5~10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6 nm左右.
- 胡娟吴爱民岳红云张学宇秦福文闻立时
- 关键词：ECR-PECVD太阳能电池纳米硅
- 一种g-C3N4增强型太阳能电池的制造方法
- 本发明公开了一种g?C3N4增强型太阳能电池的制造方法，该方法首先制备类石墨烯结构的C3N4(g?C3N4)，后将g?C3N4旋涂在棒状TiO2光阳极上，之后负载CdS量子点，并与对电极一起组装成量子点敏化太阳能电池。该...
- 吕威张学宇高其乾
- 文献传递
- ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究被引量：1
- 2010年
- 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成。实验发现:衬底温度在250℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率。衬底温度提高到350℃后这种影响明显下降。薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助。
- 张学宇吴爱民冯煜东胡娟岳红云闻立时
- 关键词：ECR-PECVD磷掺杂微晶硅薄膜
