戴灵恩
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸...
- 闵嘉华梁小燕陈军戴灵恩冯成杰张继军王林军沈悦
- 硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法
- 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZ...
- 闵嘉华秦美琪陈军戴灵恩赵树浩梁小燕张继军沈悦王林军赵岳
- 文献传递
- CdZnTe籽晶生长及晶体特性研究
- 戴灵恩
- 关键词：CDZNTE位错红外透过率
- 一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置
- 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度...
- 闵嘉华桑文斌戴灵恩王长君梁小燕施朱斌钱永彪滕建勇秦凯丰
- 文献传递
- 一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法
- 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸...
- 梁小燕闵嘉华王长君戴灵恩秦凯丰陈军王林军赵岳桑文斌
- 文献传递
- 碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸...
- 闵嘉华梁小燕陈军戴灵恩冯成杰张继军王林军沈悦
- 文献传递
- 高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究被引量：1
- 2008年
- 利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
- 李刚桑文斌闵嘉华钱永彪施朱斌戴灵恩赵岳
- 关键词：碲锌镉深能级瞬态谱
- 一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法
- 本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸...
- 梁小燕闵嘉华王长君戴灵恩秦凯丰陈军王林军赵岳桑文斌
- 文献传递
- 硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法
- 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZ...
- 闵嘉华秦美琪陈军戴灵恩赵树浩梁小燕张继军沈悦王林军赵岳
