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文国知

作品数:18 被引量:33H指数:3
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:重庆市科委基金国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇量子
  • 8篇量子点
  • 8篇硅量子点
  • 7篇氮化硅
  • 7篇氮化硅薄膜
  • 7篇硅薄膜
  • 4篇导电薄膜
  • 4篇电池
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇透明导电
  • 4篇透明导电薄膜
  • 3篇碳化硅
  • 2篇电池结构
  • 2篇电荷
  • 2篇电极
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结太阳能...
  • 2篇织构
  • 2篇柔性衬底
  • 2篇色散

机构

  • 10篇华中科技大学
  • 4篇武汉工业学院
  • 3篇西南大学
  • 1篇西南师范大学

作者

  • 18篇文国知
  • 9篇曾祥斌
  • 5篇廖武刚
  • 4篇张笑
  • 4篇姜礼华
  • 3篇曹陈晨
  • 3篇马昆鹏
  • 3篇郑瑞伦
  • 2篇肖容
  • 2篇陈晓琴
  • 2篇鲜映霞
  • 2篇郑文俊
  • 2篇冯枫
  • 2篇郑雅娟
  • 1篇范吉军
  • 1篇余南辉
  • 1篇郑雅娟
  • 1篇程光辉

传媒

  • 3篇武汉工业学院...
  • 3篇西南师范大学...
  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
周期性纳米磁性颗粒膜相转变条件研究
2008年
建立了二维周期性纳米磁性颗粒膜的物理模型并求出了其能量,应用玻尔兹曼统计理论计算了磁性颗粒的平均磁矩,讨论了系统铁磁态(FM)和反铁磁态(AFM)转变的温度条件.
文国知
关键词:磁性颗粒膜磁矩
一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法,依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极,其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜,I层为含量子...
曾祥斌郑雅娟文国知廖武刚马昆鹏陈晓琴
文献传递
含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法,其特征在于:在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1~6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层,所述太阳能电池含有的依次相叠的各层为:Ag/Al栅形电极...
曾祥斌姜礼华张笑鲜映霞文国知肖容
文献传递
基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种基于异质结结构的硅量子点太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池自下而上包括银铝复合背电极、P型单晶硅基片、氮化硅薄膜层、N型非晶硅层、透明导电膜层和银电极。氮化硅薄膜层中含有直径为1~6nm的硅量子点;透明...
曾祥斌姜礼华张笑文国知
一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法,依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极,其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜,I层为含量子...
曾祥斌郑雅娟文国知廖武刚马昆鹏陈晓琴
含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种<B>含有硅量子点的</B><B>n-i-p</B><B>异质结太阳能电池及其制备方法</B>,其特征在于:在N型单晶硅衬底和P型非晶硅层之间是含有直径为1~6nm的硅量子点的氮化硅薄膜层,所述太阳能电池...
曾祥斌姜礼华张笑鲜映霞文国知肖容
CdS/HgS/CdS球状纳米系统斯塔克线度效应被引量:7
2006年
求出均匀外电场作用下三层球状纳米系统电子的能量和波函数,讨论了外电场和样品线度对斯塔克能级移动的影响.
郑瑞伦文国知
关键词:斯塔克效应
包含硅量子点的富硅SiN_x薄膜结构与发光特性被引量:17
2013年
采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,于500—1100C范围内对样品进行了热退火处理.采用Raman光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况,结果表明,当退火温度低于950°C时,样品的晶化率低于18%,而当退火温度升为1100°C,晶化率增加至53%,说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态.实验通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变,发现Si—N键和Si—H键随退火温度升高向高波数方向移动,说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成.实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性,发现各样品中均有5个发光峰,讨论了它们的发光来源,结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500—560nm的绿光来源于硅量子点,其他峰则来源于薄膜内的缺陷态.研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响,并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸,其大小为1.6—3nm,具有良好的限域效应.
廖武刚曾祥斌文国知曹陈晨马昆鹏郑雅娟
关键词:硅量子点氮化硅薄膜光致发光
磁性颗粒膜色散关系和弛豫研究
随着电子仪器小型化、高性能的飞速发展,信息技术得到了前所未有的发展,电子仪器的多功能、高频化的研究已成为一个十分活跃的领域.人们需要的电子仪器往往需要高频磁导率、高饱和磁感应强度、适度大小的各向异性场.以Fe、Co为主体...
文国知
关键词:颗粒膜色散关系热力学性质弛豫
文献传递
基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于SiC<Sub>x</Sub>织构的硅量子点浮栅非易失性半导体存储器及其制备方法,包括硅衬底,在硅衬底上掺杂形成的源导电区和漏导电区,以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化层、电荷存储层、控制...
曾祥斌文西兴文国知郑文俊廖武刚冯枫曹陈晨
文献传递
共2页<12>
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