您的位置: 专家智库 > >

杨阳

作品数:4 被引量:21H指数:3
供职机构:哈尔滨理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇酰亚胺
  • 4篇聚酰亚胺
  • 3篇亚胺
  • 3篇杂化薄膜
  • 2篇氧化硅
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇纳米
  • 1篇电性能
  • 1篇氧化钛
  • 1篇杂化
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇无机
  • 1篇无机纳米
  • 1篇纳米杂化
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇聚酰亚胺薄膜
  • 1篇二氧化硅

机构

  • 4篇哈尔滨理工大...

作者

  • 4篇刘立柱
  • 4篇杨阳
  • 3篇王伟
  • 2篇雷清泉
  • 1篇梁冰

传媒

  • 2篇绝缘材料
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇山东陶瓷

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
杂化聚酰亚胺薄膜无机相形貌和介电性能研究被引量:6
2006年
采用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅及氧化铝溶胶,将其掺入聚酰胺酸溶液中,制得聚酰亚胺/二氧化硅-氧化铝杂化薄膜,利用原子力显微镜对杂化薄膜的无机相微观形貌进行表征,用精密阻抗分析仪测试杂化膜介电性能.研究表明:掺入无机组分含量均为4%时,随着掺入二氧化硅所占比例的增大,无机纳米粒子的平均粒径增加,当其与氧化铝质量比为8∶1时无机相呈网络状,与聚酰亚胺基体界面模糊;掺入无机组分对杂化薄膜的介电性能产生影响,介电常数ε和介电损耗tgδ随频率增加而减小,在相同频率下随掺入二氧化硅所占比例增大,介电常数ε和介电损耗tgδ增大.
刘立柱梁冰王伟杨阳雷清泉
关键词:聚酰亚胺溶胶-凝胶法杂化薄膜介电性能
聚酰亚胺/二氧化硅-二氧化钛杂化薄膜的制备与表征被引量:6
2007年
以正硅酸乙酯和钛酸四丁酯为前驱体,采用两相原位同步法制备一系列不同含量及重量比的聚酰亚胺/SiO2-TiO2杂化薄膜,利用红外光谱、扫描电镜和XRD观察了薄膜的化学结构和微观结构,并测试了薄膜的热稳定性。结果表明杂化薄膜中存在Si-O-Ti键,无机粒子粒径平均为60 nm,在薄膜中分散均匀。薄膜的热分解温度提高。
杨阳吕磊刘立柱
关键词:聚酰亚胺二氧化硅二氧化钛
聚酰亚胺/氧化硅/氧化铝纳米杂化薄膜的制备及结构与性能研究被引量:10
2005年
用溶胶-凝胶法制备了纳米氧化硅(SiO2)及纳米氧化铝(Al2O3)溶胶,并将二者掺入到聚酰胺酸基体中,亚胺化得到聚酰亚胺(PI)/SiO2/Al2O3杂化薄膜,采用红外光谱、原子力显微镜、热失重及阻抗分析仪对薄膜的结构及热性能、介电性能进行表征。结果表明,SiO2和Al2O3粒子呈纳米级均匀分散在薄膜基体中,并且与有机相存在键合;材料的热分解温度有所提高;介电常数随无机含量的增加而增加。
王伟刘立柱杨阳雷清泉
关键词:聚酰亚胺薄膜三氧化二铝溶胶-凝胶法杂化薄膜
聚酰亚胺/无机纳米杂化材料的研究被引量:1
2005年
聚酰亚胺是一种综合性能优异的材料,现已被广泛应用于航空航天及微电子领域。 但是其明显的性能缺陷限制了其在高温和精密状态下的应用;而无机纳米粒子的引入,大大 弥补了其性能缺陷(如较高的热膨胀系数和较低的吸水性),非常适合对PI改性。本文阐述了 PI纳米杂化材料的制备方法,介绍了纳米杂化材料的特点及应用。
王伟刘立柱杨阳
关键词:聚酰亚胺无机纳米杂化
共1页<1>
聚类工具0