您的位置： 专家智库 > >

罗春云

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：太原科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：山西省自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇第一性原理
  • 3篇电性质
  • 3篇密度泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇光电性质
  • 3篇泛函
  • 3篇泛函理论
  • 2篇态密度
  • 2篇模拟计算
  • 2篇包埋
  • 2篇SIO
  • 1篇电子技术
  • 1篇永磁
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇溅射
  • 1篇光学
  • 1篇靶材
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇ND2FE1...

机构

  • 5篇太原科技大学
  • 2篇上海大学

作者

  • 5篇罗春云
  • 4篇张敏刚
  • 3篇柴跃生
  • 2篇伍静
  • 1篇雒哲廷

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 3篇2009
  • 2篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
Si/SiO<,2>纳米镶嵌薄膜光电性质的模拟计算分析
本文使用第一性原理，采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包，系统地研究了Si、SiO2及Si/SiO2纳米镶嵌薄膜的几何结构、电子结构和光学性质。主要研究内容如下： ⑴分析了单晶Si及包埋基质SiO2计算所得...
罗春云
关键词：薄膜光学
文献传递
纳米材料第一性原理的模拟计算研究被引量：1
2009年
介绍了纳米材料模拟研究的现状、计算机模拟研究纳米材料的优越性及模拟研究所使用的第一性原理和基于第一性原理的几种主要方法及其运用,提出了第一性原理模拟研究纳米材料所存在的问题和建议.
罗春云柴跃生张敏刚
关键词：模拟计算第一性原理纳米材料密度泛函理论
SiO_2基质中包埋纳米晶Si光电性质的模拟计算被引量：1
2008年
采用第一性原理方法,研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明:位于约1.7eV的吸收峰是–0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的Si原子的p轨道对可见光区光的吸收有主要的贡献。同时由于这些缺陷引入的能级使价带、导带在Fermi面发生交叠而表现出导电性。
柴跃生罗春云张敏刚
关键词：第一性原理密度泛函理论态密度
NdFeB永磁靶材溅射模拟被引量：3
2008年
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟，并就入射离子的入射能量和角度进行了分析，得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律：1）溅射产额随着入射离子能量的增加而增加，在低能量区域增加很快，到了高能量区域增加变缓；2）溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大，且在70°～80°出现极大值，如当入射离子的入射角度为75°，入射离子能量为7keV时，溅射产额可达4，398（原子·离子^-1）；3）溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差，导致薄膜成分与靶材成分不一致。
雒哲廷张敏刚伍静罗春云
关键词：电子技术溅射
SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算
2009年
采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的第一个吸收峰在约3.9eV处,Si5结构的第一个吸收峰在约4.6eV处。计算表明,Si纳米颗粒中Si原子数与包埋基质的分子数之比为45.46%是一种较好的结构参数,对可见光区吸收效果好。
柴跃生罗春云张敏刚伍静
关键词：第一性原理密度泛函理论态密度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0