赵懿琨
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
- 供职机构：山东大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Si衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜发光特性研究被引量：7
- 2006年
- 采用射频磁控溅射(RFMS)法,在Si衬底上生长出具有(002)择优取向的MgxZn1-xO薄膜。透射光谱结果表明,与ZnO相比,MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378 nm蓝移至308 nm,这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽。扫描电镜(SEM)能谱分析表明,薄膜中的Mg含量比靶源中的高。用不同波长的光激发得到的光致发光(PL)谱显示,在不同波长的光激励下,只出现单色蓝或绿发光峰,其它的发光峰消失,而且随着激发光波长从260 nm、280 nm到300 nm的增加,发光峰位置分别从431 nm、459 nm红移至489 nm,发光强度也显著增强。分析表明,这些发光峰与O空位有关。
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- ZnO基紫外探测器的研究进展被引量：7
- 2006年
- ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点。介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向。
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- 关键词：ZNO薄膜紫外探测器宽带隙半导体
- 新型宽禁带半导体Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜光学性质的研究
- ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催化剂等方面。另外，ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，具有激予束缚能大、室温下...
- 赵懿琨
- 关键词：光学性质光致发光
- 文献传递
