邬海峰
- 作品数：21 被引量：24H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种0.6～1.2GHz CMOS二阶点阵巴伦
- 本发明涉及互补金属氧化物半导体工艺二阶点阵平衡至非平衡转换器结构，为了实现巴伦输出特性的超宽带和电路芯片的小尺寸，本发明一种0.6～1.2GHz CMOS二阶点阵巴伦结构由两个LC低通滤波器和两个LC高通滤波器组成；两个...
- 马建国周鹏邬海峰王立果刘建利
- 文献传递
- 2.65GHz双级高效、高增益F类开关功率放大器设计被引量：3
- 2014年
- 在F类功率放大器的基本工作原理和设计方法的基础上,采用开路枝节微带线匹配的方法实现了F类功率放大器所需要的谐波阻抗匹配,并采用GaN HEMT晶体管设计制作了应用于无线通讯领域的双级高效高增益F类功率放大器。在2.65 GHz工作频率,该功率放大器具有65.69%功率附加效率(PAE)、20 dB的功率增益和10 W输出功率。该功率放大器的实测结果与电路仿真结果相吻合,证明了使用该方法设计F类功率放大器的有效性。
- 周鹏王建利邬海峰
- 关键词：F类功率放大器双级
- 一种0.1～3GHz CMOS增益可调驱动功率放大器
- 本发明公开了一种0.1～3GHz CMOS增益可调驱动功率放大器，包括输入匹配电路、超宽带驱动级放大电路，增益可调放大电路、超宽带功率放大电路和输出隔直电路，第一级超宽带驱动级用于实现前级增益并保证整个电路的超宽带输入匹...
- 马建国邬海峰王立果周鹏王建利
- 文献传递
- 一种0.1～5GHz超宽带CMOS功率放大器
- 本发明公开了一种0.1～5GHz CMOS超宽带功率放大器，包括输入匹配电路、超宽带驱动级放大电路，超宽带功率放大电路和输出隔直电路，第一级超宽带驱动级用于实现前级增益并保证整个电路的超宽带输入匹配；超宽带驱动功率级用于...
- 马建国邬海峰王立果周鹏刘建利
- 文献传递
- 一种0.6～1.2GHz CMOS二阶点阵巴伦
- 本发明涉及互补金属氧化物半导体工艺二阶点阵平衡至非平衡转换器结构，为了实现巴伦输出特性的超宽带和电路芯片的小尺寸，本发明一种0.6～1.2GHz？CMOS二阶点阵巴伦结构由两个LC低通滤波器和两个LC高通滤波器组成；两个...
- 马建国周鹏邬海峰王立果刘建利
- 文献传递
- 功率晶体管建模现状及特性研究
- 2015年
- 功率晶体管建模是PA设计的基础,其精度直接决定了PA设计的成败问题。研究功率晶体管建模的发展现状,将有助于把握该技术的变革特点和未来发展趋势,具有极其重要的意义。通过文献调研,文章总结了功率晶体管模型的发展现状及其中一些有待解决的问题,为未来的研究指明了方向。
- 吴淘锁邬海峰
- 关键词：功率晶体管
- 功率放大器中功率晶体管的研究现状
- 2015年
- 功率放大器(Power Amplifier,PA)的核心器件是各种功率晶体管,它直接决定了PA的基本指标,也决定了整个无线通信系统的电路指标与设计成本。基于对半导体材料的分析,本文总结了功率器件的特点,并采用文献调研的方式对其发展现状及未来趋势进行了研究,为未来功率晶体管研究和PA设计奠定了研究基础。
- 吴淘锁邬海峰
- 关键词：半导体功率器件PA
- 一种双频带射频功率放大器阻抗匹配电路
- 本发明公开了一种双频带射频功率放大器阻抗匹配电路，由设置在射频源和负载之间的全微带结构构成，全微带结构包括射频微波信号的信号路径中依次串联的主匹配模块和串联匹配模块，串联匹配模块与负载中间并联有并联匹配模块；串联匹配模块...
- 马建国邬海峰成千福
- GaN HEMT高效功率放大器电路温度特性研究被引量：1
- 2016年
- 研究了GaN HEMT开关功率放大器的交流电流和微波性能随温度的变化.研究结果表明,GaN HEMT的高温退化将导致开关功放工作电流及小信号增益(S_(21))随温度升高逐渐下降,其中GaN HEMT的电压与电容特性的温度变化和膝点电压的高温退化将影响开关功放输出阻抗匹配.在120℃时,开关功放大信号状态下的交流电流退化更明显;同时由于高温退化所导致的阻抗失配,功放的S_(21)增益和输出功率会进一步下降.
- 王祯祥傅海鹏邬海峰闫冬
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大器温度特性
- 一种双频带射频功率放大器阻抗匹配电路
- 本发明公开了一种双频带射频功率放大器阻抗匹配电路，由设置在射频源和负载之间的全微带结构构成，全微带结构包括射频微波信号的信号路径中依次串联的主匹配模块和串联匹配模块，串联匹配模块与负载中间并联有并联匹配模块；串联匹配模块...
- 马建国邬海峰成千福
- 文献传递
