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郑云友

作品数：5 被引量：6H指数：1
供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇导电薄膜
  • 4篇透明导电
  • 4篇透明导电薄膜
  • 4篇构图
  • 4篇TFT-LC...
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 2篇钝化层
  • 2篇毛刺
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇过孔
  • 1篇掩模
  • 1篇掩膜
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇混合气体
  • 1篇光谱
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇O

机构

  • 5篇北京京东方光...

作者

  • 5篇侯智
  • 5篇郑云友
  • 2篇肖红玺
  • 2篇李伟
  • 2篇刘祖宏

传媒

  • 1篇现代显示

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
TFT-LCD阵列基板及其制造方法
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜...
侯智郑载润郑云友肖红玺李伟
文献传递
TFT－LCD阵列基板及其制造方法
本发明涉及一种TFT－LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜...
侯智郑载润郑云友肖红玺李伟
文献传递
光刻胶毛刺边缘形成方法和TFT－LCD阵列基板制造方法
本发明涉及一种光刻胶毛刺边缘形成方法和TFT－LCD阵列基板制造方法。TFT－LCD阵列基板制造方法包括：在基板上形成栅线和栅电极图形；形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，保留光刻胶，沉积一层钝化层，通过离地...
郑云友郑载润侯智刘祖宏李正勲
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O_2/SF_6混合气体对光刻胶的离子刻蚀研究被引量：6
2007年
以O2+SF6为刻蚀气体,在一定压力下使用RIE刻蚀机刻蚀光刻胶。通过改变功率、O2流量和SF6流量,研究以上因素的改变对光刻胶灰化速率的影响。实验结果表明:单组分O2存在下,O2流量的增加不会影响光刻胶的灰化速率。设备Plasma功率以及气体比率变化对灰化率有显著影响,并通过光谱分析对光刻胶的灰化反应机理进行了初步研究。
郑载润郑云友侯智李正勳李斗熙
关键词：离子刻蚀干法刻蚀光谱
光刻胶毛刺边缘形成方法和TFT-LCD阵列基板制造方法
本发明涉及一种光刻胶毛刺边缘形成方法和TFT-LCD阵列基板制造方法。TFT-LCD阵列基板制造方法包括：在基板上形成栅线和栅电极图形；形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，保留光刻胶，沉积一层钝化层，通过离地...
郑云友郑载润侯智刘祖宏李正勲
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