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张丹青

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇热蒸发法制备
  • 1篇锥角
  • 1篇管式
  • 1篇管式炉
  • 1篇非晶
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体纳米线
  • 1篇保温时间
  • 1篇SI纳米线
  • 1篇SUB
  • 1篇SIGE

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 2篇向钢
  • 2篇张丹青
  • 1篇张析
  • 1篇李瑞

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
2013年
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。
李瑞张析张丹青向钢
关键词：热蒸发法SI纳米线
一种锥形的非晶SiO<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种锥形的非晶的SiO<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO<Sub>2</Sub>纳米线如图1所示，形貌上纳米线根部直径300nm~600nm，高度2~4um...
向钢张丹青
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