王进军
- 作品数：27 被引量：69H指数：5
- 供职机构：西北大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金陕西省科技攻关计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 一种M0516LAN控制的数字式FM接收机设计
- 2016年
- 以RN5B700数字调频接收机芯片与M0516LAN微控制器为核心,结合实时时钟芯片S-35390A、功率放大芯片RT9108NL、E^2PROM芯片M24C16、LCD显示模组1602,进行了数字调频接收机设计,详细阐述了系统设计原理与软硬件的实现方法。测试结果表明该接收机具有选台、频段存储、频率显示、时钟显示、静音、立体声输出等功能,可广泛应用于各类消费类电子产品中。
- 王进军王侠
- 关键词：数字调频接收机
- 基于单片机的红外电子密码锁系统的设计被引量：2
- 2012年
- 设计的是一个以STC89C51单片机为核心的红外密码锁系统。系统的硬件电路由主机电路和从机电路组成。其中,主机电路是由主单片机、红外接收电路、液晶显示电路、按键电路以及报警电路组成;从机电路是由从单片机、红外发射电路和按键电路等组成。本系统可以实现密码输入、密码显示、开锁、报警。本设计方案合理、实用、安全性好,可以在工农业生产、通讯技术、家用电器和门禁系统等多种领域中使用。
- 王侠王进军
- 关键词：单片机红外密码锁
- 指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计
- 2012年
- 利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。
- 王进军王侠
- 关键词：带隙基准温度系数
- 一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计被引量：5
- 2007年
- 采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V～6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V～6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V～1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为AV≈75dB,相位裕度Φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs。
- 王进军田泽蒋敏王玲玲杨智峰詹科
- 关键词：误差放大器转换速率
- 与绝对温度成正比BiCMOS集成温度传感器设计
- 2013年
- 利用工作在弱反型区MOS管饱和漏电流的指数特性,设计了一款与绝对温度成正比(PTAT)BiCMOS集成温度传感器,主要电路由PTAT电流产生电路、启动电路和输出电路3部分组成,电路结构简单,体积小。测试结果表明,该温度传感器的精度小于0.5℃,线性度小于0.65%,灵敏度为2.5μA/℃,芯片面积为150μm×75μm,具有线性度及灵敏度高的优点,可广泛应于各类便携式电子产品中。
- 王进军王侠
- 关键词：集成温度传感器BICMOS
- 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计
- 2007年
- 提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293 V,在1.5 V^4 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃~120℃温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3 V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的电源抑制比和较低的噪声(小于500 nV/Hz1/2),基准的输出启动时间约为25μs。
- 张强田泽王进军刘宁王谨
- 关键词：带隙基准软启动电路温度补偿电源抑制比
- 场板结终端对金刚石SBD内部电场分布及击穿特性的影响被引量：2
- 2016年
- 建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管（SBD）的数值模拟模型,采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响,并对结果进行了物理分析和解释。结果表明：当TOX=0.4μm、NB=10^15cm^-3、L在0-0.2μm范围内时,击穿电压随着L的增加而增加;L〉0.2μm后,击穿电压开始下降。当L=0.2μm、NB=10^15cm^-3、TOX在0.1-0.4μm范围内时,击穿电压随着TOX的增加而增加;TOX〉0.4μm后,击穿电压开始下降。当L=0.2μm、TOX=0.4μm、NB=10^15cm^-3时,器件的击穿电压达到最大的1873 kV。与普通场板结构相比,采用台阶场板可以更加有效地提高器件的击穿电压。
- 王进军王晓亮张景文王侠
- 关键词：电场分布
- 高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备
- 2015年
- 采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表明:器件开启电压约为1.1 V,-10 V时反向漏电流小于0.5μA,反向击穿电压68.3 V,器件具有非常明显的整流特性,同时有AlN插入层的器件的正向、反向特性均优于不带AlN的器件,Al N插入层可以有效地提高器件的性能。
- 王进军王侠
- 关键词：ALGAN/GANSBD欧姆接触肖特基接触
- 精密CMOS带隙基准及过温保护电路设计被引量：7
- 2007年
- 设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V^4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。
- 张强陈贵灿田泽王进军李攀
- 关键词：带隙基准温度补偿软启动电路过温保护电路
- 一种简单的CMOS过温保护电路被引量：1
- 2008年
- 目的对已有的过温保护电路进行分析,提出一种结构简单,功耗较低的过温保护电路。方法引用峰值电流源作为启动电路,并尝试避免使用传统的迟滞比较器,采用了简单的结构实现比较功能。结果实现了一种简单的过温保护电路的设计。结论Hspice仿真结果表明该电路可以实现过温保护。
- 刘宁宁田泽李攀王进军张强
- 关键词：过温保护PTAT
