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贾良华

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氧化锡
  • 2篇晶体管
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇电栅
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇胶凝
  • 1篇沟道
  • 1篇SNO2
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇BNT

机构

  • 2篇湘潭大学

作者

  • 2篇贾良华
  • 1篇李波
  • 1篇王金斌
  • 1篇钟向丽

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究
2015年
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3O12(BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管。晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流Ion=25μA,场效应迁移率μsat=0.3cm2·V-1·s-1。BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因。
贾良华王金斌钟向丽吕旦宋宏甲李波
关键词：薄膜晶体管二氧化锡SNO2
二氧化锡沟道铁电薄膜晶体管的制备及其性能研究
以薄膜晶体管/(TFT/)为开关元件的有源阵列驱动显示器是众多平板显示器中的佼佼者。透明氧化物半导体作为沟道材料在TFT中的应用越来越多的受到人们的关注，这是因为相对于非晶硅、多晶硅和有机半导体，透明氧化物具有很多优势，...
贾良华
关键词：SNO2薄膜薄膜晶体管铁电薄膜溶胶凝胶
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